パターン形成方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴江武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-198469
公開番号（公開出願番号）：特開2002-014474
出願日： 2000年06月30日
公開日（公表日）： 2002年01月18日
要約：

【要約】【課題】良好な加工形状を有する被加工膜パターンを形成を可能とするパターン形成方法を提供すること。【解決手段】ナフトール誘導体とホルムアルデヒドを脱水縮合したノボラック化合物、またはアントラセン誘導体とホルムアルデヒドを脱水縮合したノボラック化合物を溶媒に溶解して調製した下層膜溶液を被加工膜201上に塗布して下層膜202を形成する工程と、前記下層膜202上にレジスト膜203を形成する工程と、前記レジスト膜203に対してパターン露光を行なってレジストパターン204を形成する工程と、前記レジストパターン204を前記下層膜202に転写して下層膜パターン205を形成する工程と、前記下層膜パターン205を前記被加工膜201に転写して被加工膜パターン206を形成する工程とを具備することを特徴とする。

請求項（抜粋）：

ナフトール誘導体とホルムアルデヒドを脱水縮合したノボラック化合物、またはアントラセン誘導体とホルムアルデヒドを脱水縮合したノボラック化合物を溶媒に溶解して調製した下層膜溶液を被加工膜上に塗布して下層膜を形成する工程と、前記下層膜上にレジスト膜を形成する工程と、前記レジスト膜に対してパターン露光を行なってレジストパターンを形成する工程と、前記レジストパターンを前記下層膜に転写して下層膜パターンを形成する工程と、前記下層膜パターンを前記被加工膜に転写して被加工膜パターンを形成する工程とを具備することを特徴とするパターン形成方法。

IPC (5件)：

G03F 7/11 502 , G03F 7/023 511 , G03F 7/40 521 , H01L 21/027 , H01L 21/3065

FI (6件)：

G03F 7/11 502 , G03F 7/023 511 , G03F 7/40 521 , H01L 21/30 574 , H01L 21/302 F , H01L 21/302 H

Fターム (28件)：

2H025AA02 , 2H025AA03 , 2H025AA09 , 2H025AB16 , 2H025AC04 , 2H025AC08 , 2H025AD01 , 2H025AD03 , 2H025DA34 , 2H025FA41 , 2H096AA25 , 2H096CA05 , 2H096EA05 , 2H096HA23 , 5F004AA04 , 5F004BA13 , 5F004CA03 , 5F004CA04 , 5F004DA01 , 5F004DA23 , 5F004DA25 , 5F004DA26 , 5F004DB26 , 5F004EA02 , 5F004EA28 , 5F046CA04 , 5F046CA07 , 5F046PA07

引用特許：

審査官引用 (4件)

感光性組成物
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-221230 出願人：株式会社東芝
パターン形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-031683 出願人：株式会社日立製作所
ハレーション止め組成物
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-328816 出願人：シツプリイ・カンパニイ・インコーポレイテツド

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