特許
J-GLOBAL ID：200903057059513122

基板処理装置および半導体装置の製造方法

発明者：
中嶋 誠世

中嶋 誠世 について

, 
油谷 幸則

油谷 幸則 について


出願人/特許権者：
株式会社日立国際電気

株式会社日立国際電気 について


代理人 (3件)： 油井 透 ,  阿仁屋 節雄 ,  清野 仁
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-350882
公開番号（公開出願番号）：特開2008-166321
出願日： 2006年12月27日
公開日（公表日）： 2008年07月17日
要約：
【課題】ガス導入管について所望のメンテナンスや交換を行うだけで、一度に成膜する複数のウエハの面内・面間の膜厚均一性の向上を可能にする。【解決手段】基板処理装置は、基板の処理面に対して垂直方向に複数枚配置するよう基板保持具で基板を支持しつつ処理可能な処理室201を内部に有する略筒状の反応管203と、該反応管203の外周を囲うように設けられる略筒状の加熱装置とを備える。前記反応管203の側面にはガス導入管230が設けられており、前記基板保持具は、該基板保持具を前記基板の処理面に対して垂直方向に複数に区画するように設けられる区画壁と、該区画壁により複数に区画される前記基板保持具それぞれに複数の基板を支持可能なように設けられる複数の基板支持部とを有している。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
基板の処理面に対して垂直方向に複数枚配置するよう基板保持具で基板を支持しつつ処理可能な処理室を内部に有する略筒状の反応管と、 該反応管の外周を囲うように設けられる略筒状の加熱装置とを備え、 前記反応管の側面にはガス導入管が設けられており、 前記基板保持具は、該基板保持具を前記基板の処理面に対して垂直方向に複数に区画するように設けられる区画壁と、該区画壁により複数に区画される前記基板保持具それぞれに複数の基板を支持可能なように設けられる複数の基板支持部とを有している基板処理装置。
IPC (3件)：
H01L 21/31 ,  H01L 21/318 ,  C23C 16/455
FI (4件)：
H01L21/31 B ,  H01L21/31 E ,  H01L21/318 B ,  C23C16/455
Fターム (28件)：
4K030AA03 ,  4K030AA06 ,  4K030AA13 ,  4K030BA40 ,  4K030CA04 ,  4K030EA03 ,  4K030EA11 ,  4K030FA10 ,  4K030KA04 ,  4K030LA15 ,  5F045AA06 ,  5F045AB32 ,  5F045AB33 ,  5F045AC05 ,  5F045AC12 ,  5F045AD07 ,  5F045AD11 ,  5F045AE19 ,  5F045BB01 ,  5F045DP19 ,  5F045DQ11 ,  5F045EE20 ,  5F045EM09 ,  5F058BA06 ,  5F058BC08 ,  5F058BF04 ,  5F058BF24 ,  5F058BF30
引用特許：
出願人引用 (1件)
  • 基板処理装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-240327   出願人：国際電気株式会社
審査官引用 (2件)
  • 化学的気相成長装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-114303   出願人：富士電機ホールディングス株式会社
  • 基板処理装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-240327   出願人：国際電気株式会社

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