特許
J-GLOBAL ID：200903057062865374

膜積層構造及びその形成方法

発明者：
小泉 雅人

小泉 雅人 について

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大久保 和哉

大久保 和哉 について

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高橋 毅

高橋 毅 について

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橋本 毅

橋本 毅 について

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松瀬 公裕

松瀬 公裕 について


出願人/特許権者：
東京エレクトロン株式会社

東京エレクトロン株式会社 について


代理人 (1件)： 浅井 章弘
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-056994
公開番号（公開出願番号）：特開平10-242076
出願日： 1997年02月25日
公開日（公表日）： 1998年09月11日
要約：
【要約】【課題】 下層の多結晶シリコン層から上層のタングステンシリサイド層への不純物の不均一拡散を阻止することができる膜積層構造を提供する。【解決手段】 被処理体W上に形成される膜積層構造において、不純物がドープされた第1の多結晶シリコン層10と、このシリコン層上に形成される、前記不純物と同じ、或いは同じ型の不純物がドープされた第1のタングステンシリサイド層12とにより構成する。これにより、第1のタングステンシリサイド層の不純物が不均一になるのを防止する。
請求項（抜粋）：
被処理体の表面に連続的に成膜処理を施して膜積層構造を形成するに際して、不純物がドープされた第1の多結晶シリコン層を形成する工程と、前記不純物と同じ或いは同じ型の不純物がドープされた第1のタングステンシリサイド層を形成する工程とを有することを特徴とする膜積層構造の形成方法。
IPC (4件)：
H01L 21/28 301 ,  H01L 21/3205 ,  H01L 29/78 ,  H01L 21/336
FI (3件)：
H01L 21/28 301 D ,  H01L 21/88 Q ,  H01L 29/78 301 P
引用特許：
出願人引用 (10件)
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審査官引用 (16件)
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