特許
J-GLOBAL ID:200903057094195060

磁界センサ

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 皿田 秀夫 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平10-349362
公開番号(公開出願番号):特開2000-162297
出願日: 1998年11月24日
公開日(公表日): 2000年06月16日
要約:
【要約】【課題】 ギャップ許容範囲を大幅に改善させ、アセンブリが簡易に行え、検出素子と被検出体とのギャップが多少変動したとしも、確実な検出を行ない得る磁界センサを提供する。【解決手段】 磁界検出のための磁界センサ感磁部として作用する巨大磁気抵抗効果膜を基板の上に備えてなる磁界センサであって、前記巨大磁気抵抗効果膜は、線体で描かれるパターン形状をなし、当該パターン形状は、被検出体からの信号磁界方向に対して、長手方向が実質的に平行に配置された平行矩形感磁部分を有し、当該平行矩形感磁部分のトータルの抵抗値が、磁界センサ感磁部全体の抵抗値の30〜70%となるように構成される。
請求項(抜粋):
磁界検出のための磁界センサ感磁部として作用する巨大磁気抵抗効果膜を基板の上に備えてなる磁界センサであって、前記巨大磁気抵抗効果膜は、線体で描かれるパターン形状をなし、当該パターン形状は、被検出体からの信号磁界方向に対して、長手方向が実質的に平行に配置された平行矩形感磁部分を有し、当該平行矩形感磁部分のトータルの抵抗値が、磁界センサ感磁部全体の抵抗値の30〜70%であることを特徴とする磁界センサ。
Fターム (4件):
2G017AC06 ,  2G017AD54 ,  2G017AD63 ,  2G017AD65
引用特許:
審査官引用 (3件)

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