成膜方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：浅井章弘
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-145680
公開番号（公開出願番号）：特開2000-340561
出願日： 1999年05月25日
公開日（公表日）： 2000年12月08日
要約：

【要約】【課題】膜自体のストレスを抑制して更なる微細化に対応した絶縁膜としてのシリコン窒化膜を製造できる成膜方法を提供する。【解決手段】シラン系ガスとアンモニアガスとを用いて被処理体Wの表面にシリコン窒化膜を成膜する成膜方法において、前記シラン系ガスと前記アンモニアガスとの流量比を変化させることによって前記シリコン窒化膜のストレスを制御する。これにより、更なる微細化に対応した絶縁膜としてのシリコン窒化膜を製造する。

請求項（抜粋）：

シラン系ガスとアンモニアガスとを用いて被処理体の表面にシリコン窒化膜を成膜する成膜方法において、前記シラン系ガスと前記アンモニアガスとの流量比を変化させることによって前記シリコン窒化膜のストレスを制御するようにしたことを特徴とする成膜方法。

IPC (2件)：

H01L 21/318 , C23C 16/42

FI (2件)：

H01L 21/318 B , C23C 16/42

Fターム (19件)：

4K030AA06 , 4K030AA13 , 4K030AA18 , 4K030BA40 , 4K030CA04 , 4K030CA12 , 4K030JA05 , 4K030JA06 , 4K030JA10 , 4K030LA01 , 4K030LA11 , 4K030LA15 , 5F058BA04 , 5F058BC08 , 5F058BF04 , 5F058BF23 , 5F058BF30 , 5F058BF37 , 5F058BJ01

引用特許：

審査官引用 (10件)

特開平4-088632
プラズマシリコン窒化膜をもつ半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-334172 出願人：株式会社リコー
特開昭64-014926

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