特許
J-GLOBAL ID：200903078683233778

半導体装置の製造方法

発明者：
坂元 明広

坂元 明広 について


出願人/特許権者：
沖電気工業株式会社

沖電気工業株式会社 について


代理人 (1件)： 前田 実
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-072220
公開番号（公開出願番号）：特開平11-274430
出願日： 1998年03月20日
公開日（公表日）： 1999年10月08日
要約：
【要約】【課題】 半導体素子の小型化に寄与することができる半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】 ステップS1においてNH3 ガスを供給し、ステップS2においてSiH4 ガスを供給してCs下部電極7、BPSG膜6上にSi3 N4 の核を形成した後、ステップS3においてSiH2 Cl2 ガスを供給し、Si3 N4 膜を形成すると、形成されるSi3 N4 膜8の膜厚が均一となる。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に形成された下部電極と、窒化シリコンからなり、該下部電極から前記半導体基板にかけての表面に形成された容量絶縁膜と、該容量絶縁膜上に形成された上部電極とからなるキャパシタを有する半導体装置を製造する方法であって、第1の反応ガスと第2の反応ガスを供給して前記容量絶縁膜を形成する容量絶縁膜形成処理を実行する前に、第1の反応ガスと第3の反応ガスを供給して前記下部電極及び前記半導体基板の表面に前記容量絶縁膜の核を形成する核形成処理を実行することを特徴とする製造方法。
IPC (3件)：
H01L 27/108 ,  H01L 21/8242 ,  H01L 21/318
FI (2件)：
H01L 27/10 651 ,  H01L 21/318 M
引用特許：
審査官引用 (4件)
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