特許

J-GLOBAL ID：200903057099741799

半導体装置

発明者： 寺崎 健 ,  矢口 昭弘 ,  増田 正親 ,  金本 光一 ,  和田 環 ,  杉山 道昭
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所 ,  株式会社日立超エル・エス・アイ・システムズ
代理人 (1件)： 作田 康夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-224914
公開番号（公開出願番号）：特開2001-053214
出願日： 1999年08月09日
公開日（公表日）： 2001年02月23日
要約：

【要約】【課題】はんだ接合部の熱疲労寿命が向上され、信頼性の高い半導体装置を実現する。【解決手段】リードの材質に、その線膨張係数が7×10-6/°Cから13×10-6/°Cの範囲にある材質を用いる。このことにより、半導体装置とプリント配線基板の線膨張係数差が小さくなり、温度変化時にリードに加わる熱変形量を大幅に低減できるため、はんだ接合部の熱疲労破壊を大幅に抑制することができる。さらに、封止樹脂の割れや半導体チップの割れも抑制することができる。

請求項（抜粋）：

樹脂封止体と、前記樹脂封止体の内部に位置し、表裏面のうちの表面に外部端子が形成された二つの半導体チップと、前記樹脂封止体の内外に亘って延在するリードとを有し、前記リードは、少なくとも前記樹脂封止体の内部において二つに分岐され、前記一方の分岐リードは、前記一方の半導体チップの表面に固定されると共に、その表面の外部端子に電気的に接続され、前記他方の分岐リードは、 前記他方の半導体チップの表面に固定されると共に、その表面の外部端子に電気的に接続され、前記二つの半導体チップの夫々は、夫々の裏面同志を向い合わせた状態で積層される半導体装置において、前記リードの20°C〜200°Cにおける平均線膨張係数が、Fe-42Ni合金の20°Cから200°Cにおける平均線膨張係数より大きいことを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 23/50 ,  H05K 1/18

FI (2件)：

H01L 23/50 W ,  H05K 1/18 B

Fターム (14件)：

5E336AA04 ,  5E336BB01 ,  5E336BB16 ,  5E336BC34 ,  5E336CC02 ,  5E336EE03 ,  5E336GG01 ,  5F067AA02 ,  5F067AA06 ,  5F067BE10 ,  5F067CB02 ,  5F067DA05 ,  5F067DA20 ,  5F067DE08

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 半導体装置及びその製造方法並びに電子装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-140878   出願人：株式会社日立製作所, 株式会社日立超エル・エス・アイ・システムズ
• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-300612   出願人：ソニー株式会社
• 樹脂封止型半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-057646   出願人：株式会社日立製作所