特許
J-GLOBAL ID：200903057135242508
垂直磁気記録媒体及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
谷 義一 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-157664
公開番号（公開出願番号）：特開2002-352418
出願日： 2001年05月25日
公開日（公表日）： 2002年12月06日
要約：
【要約】【課題】 垂直磁気記録媒体の低ノイズ化のため、磁区制御層に反強磁性層を使用して軟磁性裏打ち層の磁壁の制御を有効に行ない、かつ該磁気記録媒体の大量生産に適した製造方法を提供すること。【解決手段】 非磁性基体上に少なくとも下地層、配向制御層、磁区制御層、軟磁性裏打ち層、中間層、磁気記録層、保護層及び液体潤滑剤層が順次積層されてなる垂直磁気記録媒体であって、磁区制御層と軟磁性裏打ち層とが交互に少なくとも2層以上積層されており、軟磁性裏打ち層として少なくともNiとFeを含む軟磁性層を用い、磁区制御層として少なくともIrを含むMn合金からなる反強磁性層を用い、該反強磁性層の結晶配向を制御するために下層にCrを含むNiFe系合金よりなる配向制御層を用い、該配向制御層の微細構造を制御するために最下層にTaよりなる下地層を用いることを特徴とする垂直磁気記録媒体。
請求項（抜粋）：
非磁性基体上に少なくとも下地層、配向制御層、磁区制御層、軟磁性裏打ち層、中間層、磁気記録層、保護層及び液体潤滑剤層が順次積層されてなる垂直磁気記録媒体であって、前記磁区制御層と前記軟磁性裏打ち層とが交互に少なくとも2層以上積層されており、前記軟磁性裏打ち層として少なくともNiとFeを含む軟磁性層を用い、前記磁区制御層として少なくともIrを含むMn合金からなる反強磁性層を用い、該反強磁性層の結晶配向を制御するために下層にCrを含むNiFe系合金よりなる配向制御層を用い、更に該配向制御層の微細構造を制御するために最下層にTaよりなる下地層を用いることを特徴とする垂直磁気記録媒体。
IPC (5件)：
G11B 5/738
, G11B 5/65
, G11B 5/667
, G11B 5/851
, G11B 5/852
G11B 5/738
, G11B 5/65
, G11B 5/667
, G11B 5/851
, G11B 5/852 Z
5D006CA03
, 5D006CA05
, 5D006CA06
, 5D006DA03
, 5D006DA08
, 5D006EA03
, 5D006FA09
, 5D112AA03
, 5D112AA04
, 5D112AA24
, 5D112BD03
, 5D112BD05
, 5D112FA04
, 5D112FB29
