特許

J-GLOBAL ID：200903057141904253

非極性(Al,B,In,Ga)N量子井戸、ならびにヘテロ構造材料およびデバイス

発明者： クレイブン, マイケル ディー. ,  ケラー, スタシア ,  デンバーズ, スティーブン ピー. ,  マーガリス, タル ,  スペック, ジェームス エス. ,  中村 修二 ,  ミシュラ, ウメッシュ ケー.
出願人/特許権者： ザ リージェント オブ ザ ユニバーシティ オブ カリフォルニア
代理人 (3件)： 山本 秀策 ,  安村 高明 ,  森下 夏樹
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-586401
公開番号（公開出願番号）：特表2005-522888
出願日： 2003年04月15日
公開日（公表日）： 2005年07月28日
要約：

非極性(Al,B,In,Ga)N量子井戸、ならびにヘテロ構造材料および窒化物半導体デバイスを形成するための方法。1つ以上の非極性(1120)a平面GaN層が、金属・有機化学気相成長MOCVDを使用して、r平面(1102)サファイア基板上で成長される。これらの非極性(1120)a平面GaN層は、非極性(Al,B,In,Ga)N量子井戸、ならびにヘテロ構造材料およびデバイスを製造するためのテンプレートを備える。

請求項（抜粋）：

窒化物半導体デバイスを形成するための方法であって、以下: (a)1つ以上の非極性a平面GaN層を、r平面基板上で成長させる工程;および (b)1つ以上の非極性(Al,B,In,Ga)N層を、該非極性a平面GaN層上で成長させる工程、 を包含する、方法。

IPC (3件)：

H01S5/343 ,  H01L21/205 ,  H01L33/00

FI (3件)：

H01S5/343 610 ,  H01L21/205 ,  H01L33/00 C

Fターム (26件)：

5F041CA40 ,  5F041CA65 ,  5F045AA04 ,  5F045AB14 ,  5F045AB17 ,  5F045AC08 ,  5F045AC12 ,  5F045AF04 ,  5F045AF09 ,  5F045AF13 ,  5F045CA02 ,  5F045CA07 ,  5F045CA09 ,  5F045DA53 ,  5F045DA55 ,  5F045EB13 ,  5F045EE12 ,  5F045EJ01 ,  5F173AG11 ,  5F173AG20 ,  5F173AH22 ,  5F173AH44 ,  5F173AH49 ,  5F173AH50 ,  5F173AP05 ,  5F173AR81

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 半導体発光素子、光半導体素子、発光ダイオード及び表示装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-038138   出願人：富士通株式会社
• 半導体発光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-272321   出願人：株式会社日立製作所
• 発光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-114448   出願人：日亜化学工業株式会社
• 半導体レーザ装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-301435   出願人：株式会社東芝

引用文献：

審査官引用 (1件)

• Growth of gallium nitride thin films by electron cyclotron resonance microwave plasma-assisted molec