レーザアニール方法及びレーザアニール条件決定装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴江武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-248094
公開番号（公開出願番号）：特開2003-059830
出願日： 2001年08月17日
公開日（公表日）： 2003年02月28日
要約：

【要約】【課題】基板全面で移動度の高いTFTを高歩留で得ることが可能なレーザアニール方法、およびそのためのレーザアニール条件決定装置を提供すること。【構成】レーザアニール前に、予め種々のエネルギー密度条件で非晶質シリコン膜試料に条件決定用レーザビームを照射して、種々の粒径の複数の多結晶シリコン膜試料を作成し、可視域の波長を中心に有する光を、多結晶シリコンの平面に立てた垂線に対して所定の入射角で前記多結晶シリコンに入射し、その散乱光または反射光を、前記入射光の正反射方向以外の角度で検出することにより、前記複数の多結晶シリコン膜試料の表面散乱度を測定し、最も高い散乱強度の多結晶シリコン膜試料に対応するエネルギー密度条件を求めることを特徴とする。

請求項（抜粋）：

非晶質シリコン薄膜にレーザビームを照射することによって、前記非晶質シリコンを多結晶シリコンに変換するレーザアニール方法において、レーザアニール前に、予め種々のエネルギー密度条件で非晶質シリコン膜試料に条件決定用レーザビームを照射して、種々の粒径の複数の多結晶シリコン膜試料を作成する工程、可視域の波長を中心に有する光を、前記多結晶シリコンの平面に立てた垂線に対して所定の入射角で前記多結晶シリコンに入射し、その散乱光または反射光を、前記入射光の正反射方向以外の角度で検出することにより、前記複数の多結晶シリコン膜試料の表面散乱度を測定し、最も高い散乱強度の多結晶シリコン膜試料に対応するエネルギー密度条件を求める工程、前記求められたエネルギー密度条件に一定のエネルギー密度の値を加え、エネルギー密度設定値を決定する工程、および前記決定されたエネルギー密度設定値で、前記非晶質シリコン薄膜にレーザビームを照射してレーザアニールを行う工程を具備することを特徴とするレーザアニール方法。

IPC (3件)：

H01L 21/20 , G02F 1/1368 , H01L 21/268

FI (3件)：

H01L 21/20 , G02F 1/1368 , H01L 21/268 T

Fターム (17件)：

2H092JA24 , 2H092KA04 , 2H092KA07 , 2H092MA30 , 2H092MA35 , 2H092MA37 , 2H092NA24 , 2H092NA29 , 5F052AA02 , 5F052BA02 , 5F052BA07 , 5F052BB07 , 5F052DA02 , 5F052DB03 , 5F052EA12 , 5F052EA15 , 5F052JA01

引用特許：

審査官引用 (2件)

エネルギービーム結晶化による電子デバイスの製造
公報種別：公表公報出願番号：特願平10-524453 出願人：コーニンクレッカフィリップスエレクトロニクスエヌヴィ
半導体膜の検査方法、薄膜トランジスタの製造方法、および半導体膜の検査装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-285589 出願人：セイコーエプソン株式会社

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