特許
J-GLOBAL ID：200903075769528143
エネルギービーム結晶化による電子デバイスの製造
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
杉村 暁秀 (外5名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-524453
公開番号（公開出願番号）：特表2000-504498
出願日： 1997年09月29日
公開日（公表日）： 2000年04月11日
要約：
【要約】本発明は、薄膜回路素子を具える大面積電子デバイス、例えばフラットパネルディスプレイを製造する方法、及び半導体薄膜(1) の一部分を設定エネルギーのビーム(11)で結晶化するレーザ装置を提供する。ビーム(11)のエネルギーを光検出器(22)からの出力に従って設定し、ビーム(11)が次に照射する半導体薄膜(1)のデバイス部分(3,4及び/又は5)の結晶化をその設定エネルギーで調整する。光検出器(22)は先に結晶化された部分(2) の表面品質を監視する。本発明では、光検出器(22)を結晶化部分(2) の表面により戻される光の正反射光路(25)外の位置に配置し、結晶化部分(2) の表面領域により散乱された光(26)の強度(Is) のしき増大(D) を検出する。このしきい増大(D) はビーム(11)のエネルギー(EP) が十分に増大して粗面化の開始を生ずるときに発生する。
請求項（抜粋）：
薄膜回路素子を具える電子デバイスを製造するにあたり、 (a) エネルギービームを基板上の半導体薄膜の表面領域に向け照射して薄膜の少なくとも一部分を結晶化するステップと、 (b) 薄膜の結晶化された部分の表面領域に向け光を照射し、表面領域から戻る光を光検出器で検出し、該検出器から結晶化された部分の表面品質を表す出力を発生させることにより結晶化された部分の表面品質を監視するステップと、 (c) ビームのエネルギーを光検出器からの出力に従って設定して、ビームが次に照射する半導体薄膜のデバイス部分の結晶化をその設定エネルギーで行うよう調整するステップと、 を具える電子デバイスの製造方法において、 光検出器を結晶化された部分の表面領域により戻される光の正反射光路外の位置に配置し、ビームのエネルギーが十分に増大して粗面化が開始するときに発生する、結晶化された部分の表面領域により散乱された光の強度のしきい増大を検出し、且つステップ(c)における薄膜回路素子用のデバイス部分の結晶化時に、ビームのエネルギーを前記しきい増大の検出により決まる値に設定することを特徴とする電子デバイスの製造方法。
IPC (4件)：
H01L 21/268
, H01L 21/20
, H01L 21/336
, H01L 29/786
H01L 21/268 T
, H01L 21/20
, H01L 29/78 627 G
審査官引用 (9件)
-
薄膜半導体成長法
公報種別：公開公報
出願番号：特願平3-253219
出願人：シヤープ株式会社
-
特開平4-109649
-
レーザー照射装置
公報種別：公開公報
出願番号：特願平7-021011
出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
全件表示
引用文献：
前のページに戻る
