半導体装置の製造方法およびドライエッチング装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：板垣孝夫 , 森本義弘
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-107166
公開番号（公開出願番号）：特開2004-319540
出願日： 2003年04月11日
公開日（公表日）： 2004年11月11日
要約：

【課題】塩素系エッチングガス,高密度プラズマを用いるエッチングプロセスの後に半導体基板上に残留する残留塩素による設備の腐食、それに起因するパーティクル付着をなくす。【解決手段】エッチングチャンバ16でエッチングプロセスを終了したシリコン基板11をロードロックチャンバ13に返送するに先だって、エッチングチャンバ16とは別途に設けた後処理用チャンバ20に搬送してプラズマ処理することにより、エッチングプロセス終了後の各シリコン基板11上に残留した残留塩素を除去する。これにより、ロードロックチャンバ13への残留塩素持ち込みを低減できるので、ロードロックチャンバ13が大気開放された際に流入する大気中の水分と残留塩素とが反応して塩酸を生じ、ロードロックチャンバ13自体を腐食させて、パーティクル発生源化させるのを抑制できる。よって、パーティクル付着を従来よりも低減して、半導体製品の歩留まりを向上できる。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

複数枚の半導体基板を搬入搬出室に搬入し、搬入搬出室内を所定圧力まで真空排気する工程と、前記真空排気された搬入搬出室内の半導体基板を1枚ずつ、前記搬入搬出室に扉装置を介して連通配置され一定圧力に維持された位置合わせ室とエッチング用プラズマ処理室とに順次に搬送して、所定のアライメントポジションに合わせた後に、塩素系エッチングガスにてプラズマエッチングし、エッチングプロセス終了後に前記搬入搬出室に返送する工程と、前記搬入搬出室に返送された複数枚の半導体基板を後段の処理装置へと搬出する工程とを行う半導体装置の製造方法において、前記エッチングプロセス終了後の各半導体基板を搬入搬出室に返送するに先だって、前記搬入搬出室に扉装置を介して連通配置された後処理用プラズマ処理室に搬送し、プラズマ処理することにより、前記エッチングプロセス終了後の各半導体基板上に残留した残留塩素を除去することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (2件)：

H01L21/3065 , H01L21/68

FI (3件)：

H01L21/302 106 , H01L21/68 A , H01L21/68 M

Fターム (25件)：

5F004AA14 , 5F004BB14 , 5F004BC05 , 5F004BC06 , 5F004DA25 , 5F004DA26 , 5F004DB02 , 5F004FA00 , 5F031CA02 , 5F031DA01 , 5F031FA01 , 5F031FA07 , 5F031FA11 , 5F031FA12 , 5F031FA15 , 5F031HA16 , 5F031HA37 , 5F031JA34 , 5F031KA13 , 5F031MA04 , 5F031MA32 , 5F031NA04 , 5F031NA05 , 5F031NA07 , 5F031PA26

引用特許：

審査官引用 (2件)

処理装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-231918 出願人：東京エレクトロン株式会社
プラズマ処理方法及びその装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-280455 出願人：株式会社日立製作所

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