特許
J-GLOBAL ID：200903057168844660
半導体素子製造プロセスにおける膜の処理量測定方法と装置、及びそれを用いた被処理材の処理方法と装置、及びそれを用いたプロセスの終点判定方法と装置
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
作田 康夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-280908
公開番号（公開出願番号）：特開2003-083720
出願日： 2001年09月17日
公開日（公表日）： 2003年03月19日
要約：
【要約】【課題】被処理層の実際のエッチング深さや残膜量をオンラインで正確に測定しプロセスの終点を判定する。【解決手段】第1の被処理材の所定段差に対する干渉光の微分値の、波長をパラメータとする標準パターンと被処理材の所定マスク残膜厚さに対する干渉光の微分値の、波長をパラメータとする標準パターンを設定する。次いで、前記第1の被処理材と同一構成の第2の被処理材についての干渉光の強度を複数波長についてそれぞれ測定し、該測定された干渉光強度の微分値の、波長をパラメータとする実パターンを求める。前記標準パターンと前記微分値の実パターンとに基づき、前記第2の被処理材の段差とマスク残膜厚さを求める。該求められた前記第2の被処理材の段差およびマスク残膜厚さによりプロセスの終点を判定する。
請求項（抜粋）：
半導体素子製造プロセスにおける膜の処理量測定方法は、a) 第1の被処理材(4,5等)の膜の所定処理に対する干渉光の微分値の、波長をパラメータとする第1の被処理材の標準パターンを設定するステップと;b) 前記第1の被処理材と同一構成の第2の被処理材(4,5等)についての干渉光の強度を複数波長についてそれぞれ測定し、該測定された干渉光強度の微分値の波長をパラメータとする実パターンを求めるステップと;c) 前記第1の被処理材の標準パターンと前記実パターンとに基づき、前記第2の被処理材の膜の処理量(43)を求めるステップと、を備えることを特徴とする膜の処理量測定方法。
IPC (2件)：
G01B 11/06
, H01L 21/3065
G01B 11/06 G
, H01L 21/302 E
2F065AA30
, 2F065CC19
, 2F065FF51
, 2F065GG03
, 2F065GG23
, 2F065HH04
, 2F065HH13
, 2F065QQ07
, 2F065QQ15
, 2F065QQ18
, 5F004AA01
, 5F004AA06
, 5F004CB09
, 5F004CB16
, 5F004CB17
, 5F004DB01
, 5F004DB02
, 5F004DB23
, 5F004EB01
, 5F004EB02
, 5F004EB04
