半導体装置の配線形成方法及びスパッタ装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：山本孝久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-108378
公開番号（公開出願番号）：特開平9-275139
出願日： 1996年04月04日
公開日（公表日）： 1997年10月21日
要約：

【要約】【課題】配線形成に要する全体の時間が長くなることなく、確実に絶縁層に対する脱ガス処理を施し得る、半導体装置の配線形成方法を提供する。【解決手段】半導体装置の配線形成方法は、(イ)基体10,11上に絶縁層12を形成する工程と、(ロ)絶縁層12を加熱して、絶縁層の脱ガス処理を行う工程と、(ハ)絶縁層12上にスパッタ法にて配線材料層17を形成する工程と、(ニ)絶縁層12上の該配線材料層17をパターニングして配線を形成する工程から成り、前記工程(ロ)において、脱ガス処理中に雰囲気の特定のガスのガス濃度を検出し、ガス濃度が規定値以下になったならば脱ガス処理を終了する。

請求項（抜粋）：

(イ)基体上に絶縁層を形成する工程と、(ロ)絶縁層を加熱して、絶縁層の脱ガス処理を行う工程と、(ハ)絶縁層上にスパッタ法にて配線材料層を形成する工程と、(ニ)絶縁層上の該配線材料層をパターニングして配線を形成する工程、から成り、前記工程(ロ)において、脱ガス処理中に雰囲気の特定のガスのガス濃度を検出し、ガス濃度が規定値以下になったならば脱ガス処理を終了することを特徴とする半導体装置の配線形成方法。

IPC (3件)：

H01L 21/768 , H01L 21/316 , H01L 21/31

FI (3件)：

H01L 21/90 P , H01L 21/316 P , H01L 21/95

引用特許：

審査官引用 (11件)

特開平3-184329
特開平1-258444
特開平4-324634

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