特許
J-GLOBAL ID：200903057194187448

シリコン単結晶ウェーハの品質評価方法

発明者：
原田 邦仁

原田 邦仁 について


出願人/特許権者：
東芝セラミックス株式会社

東芝セラミックス株式会社 について


代理人 (8件)： 鈴江 武彦 ,  河野 哲 ,  中村 誠 ,  蔵田 昌俊 ,  峰 隆司 ,  福原 淑弘 ,  村松 貞男 ,  橋本 良郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-098435
公開番号（公開出願番号）：特開2006-278892
出願日： 2005年03月30日
公開日（公表日）： 2006年10月12日
要約：
【課題】シリコン単結晶ウェーハの無欠陥領域を目視により速やかに判定することができるシリコン単結晶ウェーハの品質評価方法を提供する。【解決手段】シリコンウェーハの表面を密度5〜10E10atom/cm2のFeで汚染して、前記シリコンウェーハを熱処理炉内に投入し、900°C〜1200°Cの温度で2時間以上保持する熱処理第1工程と、次に、500°C〜700°Cの温度で2時間以上保持する熱処理第2工程とを有し、前記熱処理工程をいずれもドライ酸素雰囲気中で熱処理を行うことによりシリコン単結晶ウェーハの表面に汚染元素誘起欠陥を発生させ、シリコン単結晶の無欠陥領域を目視で判定する。【選択図】なし
請求項（抜粋）：
シリコンウェーハの表面を密度5〜10E10atom/cm2のFeで汚染して、前記シリコンウェーハを熱処理炉内に投入し、900°C〜1200°Cの温度で2時間以上保持する熱処理第1工程と、次に、500°C〜700°Cの温度で2時間以上保持する熱処理第2工程とを有し、前記熱処理工程をドライ酸素雰囲気中で熱処理を行うことによりシリコン単結晶ウェーハの表面に汚染元素誘起欠陥を発生させて、シリコン単結晶の無欠陥領域を目視で判定することを特徴とするシリコン単結晶ウェーハの品質評価方法。
IPC (2件)：
H01L 21/66 ,  C30B 29/06
FI (2件)：
H01L21/66 N ,  C30B29/06 502Z
Fターム (16件)：
2G051AA51 ,  2G051AB06 ,  2G051AB07 ,  2G051AC11 ,  2G051CA11 ,  4G077AA02 ,  4G077BA04 ,  4G077CF10 ,  4G077GA01 ,  4G077GA05 ,  4G077HA12 ,  4M106AA01 ,  4M106AA10 ,  4M106BA12 ,  4M106CB19 ,  4M106DH44
引用特許：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (1件)

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