特許
J-GLOBAL ID：200903057203260340

半導体用特殊材料ガス成分濃度測定方法及び半導体製造装置

発明者：
原田 宙幸

原田 宙幸 について

, 
宇野 敏彦

宇野 敏彦 について

, 
秋山 重之

秋山 重之 について

, 
清水 哲夫

清水 哲夫 について


出願人/特許権者：
三菱商事株式会社

三菱商事株式会社 について

, 
株式会社堀場製作所

株式会社堀場製作所 について

, 
株式会社エステック

株式会社エステック について


代理人 (1件)： 河▲崎▼ 眞樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-312440
公開番号（公開出願番号）：特開平8-145884
出願日： 1994年11月21日
公開日（公表日）： 1996年06月07日
要約：
【要約】【目的】 半導体製造装置のガス配管系にインラインとして組み込むことが可能で、ガス配管内を流れている或いはガス配管系内に充満しているガスの成分及び濃度を計測することができ誤接続のない半導体用特殊材料ガス成分濃度測定方法及び半導体製造装置を提供する。【構成】 半導体用特殊材料ガスを収納したガスボンベ2と半導体製造部との間のガス管路5途中にガス検出器3を配置してインラインによりガス成分や濃度を測定する半導体用特殊材料ガス成分濃度測定方法及び半導体製造装置。複数本のガスボンベに連結される管路の合流管路にガス検出器3を配置することもある。
請求項（抜粋）：
半導体用特殊材料ガスを収納したガスボンベと半導体製造部との間のガス管路途中にガス検出器を配置してインラインによりガス成分又は/及びガス濃度を測定する半導体用特殊材料ガス成分濃度測定方法。
IPC (2件)：
G01N 21/35 ,  G01N 21/33
引用特許：
審査官引用 (24件)
  • アルミニウム合金薄膜の形成方法及びその装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-070355   出願人：川崎製鉄株式会社
  • 特開昭62-119434
  • 特開昭62-119434
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM