特許
J-GLOBAL ID：200903057207795884

交番位相シフト・マスク・リソグラフィのマスク・パターンの生成

発明者：
ラース・ダブリュー・リーブマン

ラース・ダブリュー・リーブマン について

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スコット・ジェイ・バコフスキー

スコット・ジェイ・バコフスキー について

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イオアナ・グローア

イオアナ・グローア について


出願人/特許権者：
インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション

インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション について


代理人 (3件)： 坂口 博 ,  市位 嘉宏 ,  上野 剛史
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-207387
公開番号（公開出願番号）：特開2005-037945
出願日： 2004年07月14日
公開日（公表日）： 2005年02月10日
要約：
【課題】交番位相シフト・マスク・リソグラフィのマスク・パターンを生成する方法および装置を提供すること。【解決手段】基板上に実現すべき回路レイアウトを定義するデータ・セットから対のフォトマスクのパターンを生成する方法は、基板上に実現すべき回路レイアウトのクリティカル・セグメントを識別することを含む。識別されたクリティカル・セグメントに基づいて、ブロック・マスク・パターンが生成され、それからルール適合化される。その後で、位相マスク・パターンが生成され、ルール適合化され、さらにカラーリングされる。ルール適合化ブロック・マスク・パターンおよびカラーリングされたルール適合化位相マスク・パターンが、それぞれ、基板のレジスト層に構造体をパターン化する二重露光方法で使用するためのブロック・マスクおよび交番位相シフト・マスクの構造体を定義する。【選択図】図23
請求項（抜粋）：
基板上に実現すべき回路レイアウトを定義するデータ・セットから、対の組のフォトマスクのパターンを生成する方法であって、 回路レイアウトを入力するステップと、 前記回路レイアウトのクリティカル・セグメントを識別するステップと、 前記識別されたクリティカル・セグメントに基づいてブロック・マスク・パターンを生成し、かつルール適合化するステップと、 前記ルール適合化ブロック・マスク・パターンと共に二重露光方法で使用するための位相マスク・パターンを生成し、ルール適合化し、さらにカラーリングするステップとを備え、 前記ルール適合化ブロック・マスク・パターンがブロック・マスクを定義し、かつ前記カラーリングされたルール適合化位相マスク・パターンが交番位相シフト・マスクを定義し、前記ブロック・マスクおよび前記交番位相シフト・マスクは、前記基板上にクリティカル寸法の構造体をパターン形成するための二重露光方法で共に使用可能である方法。
IPC (2件)：
G03F1/08 ,  H01L21/027
FI (2件)：
G03F1/08 A ,  H01L21/30 514A
Fターム (8件)：
2H095BA02 ,  2H095BB01 ,  2H095BB03 ,  2H095BC24 ,  5F046AA05 ,  5F046AA13 ,  5F046AA17 ,  5F046CB17
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (4件)
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