特許

J-GLOBAL ID：200903046647168782

パターン生成方法

発明者： 大沼 英寿
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 佐藤 隆久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-339953
公開番号（公開出願番号）：特開2002-182366
出願日： 1998年01月23日
公開日（公表日）： 2002年06月26日
要約：

【要約】【課題】位相シフトを用いた微細加工パターンのパターン間距離に依存した線幅の疎密依存性を補正する。【解決手段】複数の微細パターン(ゲートフィンガ部)と、当該微細パターンの微細線幅方向両側にそれぞれ配置され、透過する光の位相差により光の干渉を打ち消す複数の位相シフトパターン(シフタ)と用いた高解像度露光と、微細パターン箇所以外の通常露光とを含む複数回露光により一つの層を形成する。その通常露光に用いるマスクパターンの生成に際し、高解像度露光用マスク上の微細パターンに対応した位置に重ねられる当該通常露光用マスク上の遮光パターン(ゲート電極)のサイズを、微細パターンの疎密性に応じて生じる解像後の線幅格差を縮小する方向に変化させる。例えば、密パターンのゲートをつなげると、線幅の疎密依存性が是正される。

請求項（抜粋）：

複数の微細パターンと、当該微細パターンの微細線幅方向両側にそれぞれ配置され、透過する光の位相差により光の干渉を打ち消す複数の位相シフトパターンと用いた高解像度露光と、微細パターン箇所以外の通常露光とを含む複数回露光により一つの層を形成する際に用いるパターンの生成方法であって、前記通常露光に用いるマスクパターン生成に際し、前記高解像度露光用マスク上の前記微細パターンに対応した位置に重ねられる当該通常露光用マスク上の遮光パターンのサイズを、前記微細パターンの疎密性に応じて生じる解像後の線幅格差を縮小する方向に変化させるパターン生成方法。

IPC (2件)：

G03F 1/08 ,  H01L 21/027

FI (3件)：

G03F 1/08 A ,  H01L 21/30 514 A ,  H01L 21/30 502 P

Fターム (8件)：

2H095BA05 ,  2H095BB02 ,  2H095BB03 ,  2H095BD03 ,  5F046AA13 ,  5F046BA04 ,  5F046BA08 ,  5F046CB17

引用特許：

出願人引用 (4件)

• マスクパターン自動発生方法およびマスク
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-166391   出願人：日本電気株式会社
• 微細パターンを含むパターンを形成する為のマスク及びそのマスクを用いたパターン形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-231048   出願人：富士通株式会社
• 回路パタン形成用マスク装置及び回路パタン形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-047225   出願人：松下電器産業株式会社
• マスクパターン補正方法、パターン形成方法及びフォトマスク
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-125172   出願人：富士通株式会社