特許
J-GLOBAL ID：200903062490391739
パターン生成方法及びその装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
佐藤 隆久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-011334
公開番号（公開出願番号）：特開平11-212247
出願日： 1998年01月23日
公開日（公表日）： 1999年08月06日
要約：
【要約】【課題】位相シフタを自動的に高効率で矛盾なく配置し、また、微細パターンの疎密性に依存した線幅格差を是正する。【解決手段】複数の位相シフトパターンの形状と位相を、複数の微細パターンの位置関係に基づいて決定し、かつ、位相については、微細パターン両側の位相差が180度となるように決定する。例えば、複数の微細パターンを既に設計された素子形状パターンから抽出し、抽出した複数の微細パターンそれぞれに対し、その微細線幅方向両側に光の干渉を打ち消すのに必要な所定幅以上の単位パターンを配置し(ST1)、当該単位パターンのOR処理等によって複数の位相シフトパターンを生成する(ST2)。また、位相差が0度となる位相矛盾が生じた場合は、必要に応じてレイアウト圧縮等を行った後のシフトパターン分割等のパターン変更によって、当該位相矛盾を解消する(ST9)。
請求項（抜粋）：
複数の微細パターンと、当該微細パターンの微細線幅方向両側にそれぞれ配置され、透過する光の位相差により光の干渉を打ち消す複数の位相シフトパターンとを含むマスクパターンの生成方法であって、前記複数の位相シフトパターンの形状と位相を、前記複数の微細パターンの位置関係に基づいて決定し、かつ、位相については、前記微細パターン両側の位相差が180度となるように決定するパターン生成方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
G03F 1/08 A
, H01L 21/30 502 P
