特許

J-GLOBAL ID：200903057228343703

基板表面への金属酸化物の化学的気相成長法による成膜方法および装置

発明者： グラント、ロバート、ダブリュ
出願人/特許権者： プリマックス インコーポレイテッド
代理人 (1件)： 千葉 剛宏 (外1名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-604957
公開番号（公開出願番号）：特表2002-539327
出願日： 2000年02月28日
公開日（公表日）： 2002年11月19日
要約：

【要約】化学的気相成長法により基板表面に膜を形成する際に、形成される境界層を減少させて形成されるガス境界層の均一性を反応室内で向上させる成膜方法に関する。第1の音波およびまたは第2の音波、または他の外乱源がチャンバ内部に導入されることにより、境界層の厚みと均一性が向上する。なお、チャックを振動させるようにしてもよい。

請求項（抜粋）：

化学的気相成長法により基板表面に膜を形成する際に、形成される境界層を減少させて該境界層の均一性を反応室内で著しく向上させる成膜方法であって、第1の音波および/または第2の音波、または他の外乱源を反応室内に導入する工程を有することを特徴とする化学的気相成長法による成膜方法。

IPC (2件)：

C23C 16/44 ,  H01L 21/205

FI (2件)：

C23C 16/44 A ,  H01L 21/205

Fターム (13件)：

4K030BA42 ,  4K030FA17 ,  4K030GA02 ,  5F045AA03 ,  5F045AB02 ,  5F045AC01 ,  5F045AC05 ,  5F045AF03 ,  5F045BB01 ,  5F045BB12 ,  5F045DB02 ,  5F045EE19 ,  5F045EE20

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-049907   出願人：ソニー株式会社
• 軟磁性フエライト薄膜の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-308160   出願人：松下電器産業株式会社
• 特開平1-317112
  
• 特開平1-317112