特許
J-GLOBAL ID：200903057267749490

低熱膨張セラミックス部材及びその製造方法

発明者：
安藤 彰朗

安藤 彰朗 について

, 
佐藤 裕

佐藤 裕 について


出願人/特許権者：
新日鉄マテリアルズ株式会社

新日鉄マテリアルズ株式会社 について


代理人 (1件)： 國分 孝悦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-306848
公開番号（公開出願番号）：特開2008-124265
出願日： 2006年11月13日
公開日（公表日）： 2008年05月29日
要約：
【課題】各種の低熱膨張セラミックス材料であっても広く適用可能であり、また、低熱膨張セラミックスの誘電体部表面に形成した内部電極を長期間安定させることができ、更に、誘電体部にもダメージを与え難い構造とすることで静電チャックとしての性能を長期間安定させることを可能ならしめる低熱膨張セラミックス部材及びその製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】低熱膨張セラミックス基体と、前記低熱膨張セラミックス基体上に設けられた電極と、前記電極を覆う低熱膨張セラミックス誘電体部と、が設けられている。前記電極の構造は、周期律表IVa属元素の窒化物若しくは複合窒化物、周期律表Va属元素の窒化物若しくは複合窒化物、又は周期律表VIa属元素の窒化物若しくは複合窒化物からなる第1の層と、周期律表IVa、Va又はVIa属元素からなる第2の層と、の積層構造である。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
低熱膨張セラミックス基体と、 前記低熱膨張セラミックス基体上に設けられた電極と、 前記電極を覆う低熱膨張セラミックス誘電体部と、 を有し、 前記電極の構造は、 周期律表IVa属元素の窒化物若しくは複合窒化物、周期律表Va属元素の窒化物若しくは複合窒化物、又は周期律表VIa属元素の窒化物若しくは複合窒化物からなる第1の層と、 周期律表IVa、Va又はVIa属元素からなる第2の層と、 の積層構造であることを特徴とする低熱膨張セラミックス部材。
IPC (1件)：
H01L 21/683
FI (1件)：
H01L21/68 R
Fターム (5件)：
5F031HA02 ,  5F031HA03 ,  5F031HA16 ,  5F031HA37 ,  5F031PA30
引用特許：
出願人引用 (3件)
  • 静電吸着装置及び半導体製造装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-130996   出願人：京セラ株式会社
  • 静電チャック
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-077616   出願人：太平洋セメント株式会社
  • 静電チャック
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-036554   出願人：太平洋セメント株式会社

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