特許
J-GLOBAL ID：200903057274960350
スピンバルブ型薄膜磁気素子及び薄膜磁気ヘッド
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
志賀 正武 (外7名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-321801
公開番号（公開出願番号）：特開2001-143223
出願日： 1999年11月11日
公開日（公表日）： 2001年05月25日
要約：
【要約】【課題】 固定磁性層とフリー磁性層の少なくとも一方のフェリ磁性状態を保つ磁界の範囲を広くし、このフェリ磁性状態を安定して維持させること。【解決手段】 反強磁性層13と、これとの交換結合磁界により磁化方向が固定された固定磁性層41と、非磁性導電層5と、フリー磁性層11とを備え、固定磁性層41とフリー磁性層11の少なくとも一方が非磁性中間層を介して第1磁性層と第2磁性層の二つに分断され、上記第1、第2磁性層の各磁化方向が反平行方向とされ、かつ、固定磁性層41とフリー磁性層11の少なくとも一方がフェリ磁性状態とされ、上記第1、第2磁性層は各々少なくともRu非磁性中間層と接する側にNiFe層を有し、かつ厚みが0.27〜1.03nmであり、上記第1、第2磁性層の各磁化の方向が平行方向となるときの飽和磁界(Hs)が40kA/mより大きいスピンバルブ型薄膜磁気素子1。
請求項（抜粋）：
反強磁性層と、該反強磁性層に接して形成されて前記反強磁性層との交換結合磁界により磁化方向が固定された固定磁性層と、前記固定磁性層に接する非磁性導電層と、前記非磁性導電層に接するフリー磁性層とを備え、前記フリー磁性層の厚さ方向の一方の側あるいは両側に各々前記非磁性導電層と前記固定磁性層と前記反強磁性層とが設けられ、前記固定磁性層と前記フリー磁性層の少なくとも一方が非磁性中間層を介して第1磁性層と第2磁性層の二つに分断され、前記第1、第2磁性層の各磁化方向が反平行方向とされ、かつ、前記固定磁性層と前記フリー磁性層の少なくとも一方がフェリ磁性状態とされたスピンバルブ型薄膜磁気素子であり、前記第1、第2磁性層は各々少なくとも非磁性中間層と接する側にNiFe層を有し、前記非磁性中間層はRuからなり、かつ厚みが0.27乃至1.03nmであり、前記第1、第2磁性層の各磁化の方向が平行方向となるときの飽和磁界が40kA/mより大きいことを特徴とするスピンバルブ型薄膜磁気素子。
Fターム (5件)：
5D034BA04
, 5D034BA08
, 5D034BA11
, 5D034BA21
, 5D034CA08
