特許

J-GLOBAL ID：200903057327974260

ZnO系半導体素子

発明者： 中原 健 ,  湯地 洋行 ,  田村 謙太郎 ,  赤坂 俊輔 ,  川崎 雅司 ,  塚崎 敦 ,  大友 明
出願人/特許権者： ローム株式会社 ,  国立大学法人東北大学
代理人 (4件)： 三好 秀和 ,  寺山 啓進 ,  三好 広之 ,  伊藤 市太郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-160273
公開番号（公開出願番号）：特開2007-329353
出願日： 2006年06月08日
公開日（公表日）： 2007年12月20日
要約：

【課題】積層側の主面がc軸方向を向いているMgZnO基板上に平坦なZnO系半導体層を成長させることができるZnO系半導体素子を提供する。【解決手段】+C面(0001)が少なくともm軸方向に傾斜した面を主面とするMgxZn1-xO(0≦x<1)基板1上に、ZnO系半導体層2〜6がエピタキシャル成長されている。そして、ZnO系半導体層6上にはp電極10が、MgxZn1-xO基板1の下側にはn電極9が形成されている。このようにして、MgxZn1-xO基板1の表面に、m軸方向に並ぶ規則的なステップを形成することで、ステップバンチングと呼ばれる現象を防ぎ、基板1上に積層される半導体層の膜の平坦性を向上させることができる。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

主面がC面を有するMgxZn1-xO(0≦x<1)基板において、c軸が少なくともm軸方向にΦm度傾斜し、前記Φmは 0<Φm≦3の条件を満たすものであって、前記主面にZnO系半導体層を形成したことを特徴とするZnO系半導体素子。

IPC (2件)：

H01L 33/00 ,  H01L 21/363

FI (2件)：

H01L33/00 D ,  H01L21/363

Fターム (13件)：

5F041AA40 ,  5F041CA04 ,  5F041CA05 ,  5F041CA23 ,  5F041CA41 ,  5F041CA66 ,  5F103AA04 ,  5F103DD30 ,  5F103GG01 ,  5F103HH04 ,  5F103LL02 ,  5F103LL09 ,  5F103NN10

引用特許：

出願人引用 (1件)

• ZnO系半導体素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-059025   出願人：ローム株式会社