特許

J-GLOBAL ID：200903057344034874

半導体装置およびその製造方法

発明者： 阿野 一章
出願人/特許権者： 日本テキサス・インスツルメンツ株式会社
代理人 (1件)： 遠藤 恭
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-216775
公開番号（公開出願番号）：特開平10-050883
出願日： 1996年07月30日
公開日（公表日）： 1998年02月20日
要約：

【要約】【課題】BGA型集積回路パッケージの製造において、絶縁基板のスルーホール内にクリーム半田を充填する工程を不要とすると共に、半田ボールの接合部における熱応力を低減する。【解決手段】絶縁基板2には半田バンプを形成する位置に対応してスルーホール2aが形成される。絶縁基板のチップ3を搭載した面には、導体パターン6が形成され、その一端はスルーホール2a上に位置する。上記導体パターンのスルーホール上の領域は、スルーホール内に突出する部分6dを有する。各スルーホール上に半田ボール7を移載し、上記突出部分6dと接触させる。この状態で半田ボールを溶融し、突出部分6dと半田ボール7とを直接接合する。突出部分6dは、パターンを張り出し加工することにより形成するのがよい。張り出し加工による突起は、その部分に掛かる熱応力を低減させる。

請求項（抜粋）：

集積回路チップと、上記集積回路チップを搭載し、スルーホールを備えた絶縁基板と、上記絶縁基板の上記集積回路チップを搭載した側の面に形成され、該集積回路チップに形成された電極パッドと電気的に接続される導体パターンであって、上記スルーホール内に突出する部分を有するものと、上記スルーホール内に突出する上記導体パターンの部分に接合される半田ボールと、を備えた半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 23/12 ,  H05K 1/11

FI (2件)：

H01L 23/12 L ,  H05K 1/11 H

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 半導体装置用テープキャリア
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-196704   出願人：日立電線株式会社, 株式会社日立製作所
• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-083712   出願人：新光電気工業株式会社