MIS型半導体装置及びその製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴江武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-242208
公開番号（公開出願番号）：特開2000-150882
出願日： 1999年08月27日
公開日（公表日）： 2000年05月30日
要約：

【要約】【課題】ゲート電極に多結晶シリコンを用いた場合に、ゲート電極の空乏化や不純物のチャネリングを抑制するとともに、高周波特性の劣化やゲート電極加工時の問題を解決する。【解決手段】ゲート電極に多結晶シリコン膜を用いたMIS型半導体装置において、多結晶シリコン膜の下部領域14の多結晶シリコン粒の平均的な粒径が多結晶シリコン膜の上部領域15の多結晶シリコン粒の平均的な粒径よりも大きく、かつ膜厚方向において多結晶シリコン膜中に酸素濃度及び窒素濃度のピークが存在しない。

請求項（抜粋）：

半導体基板と、前記半導体基板上に設けられたゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上に設けられ、多結晶シリコン膜からなるゲート電極とを具備してなり、前記多結晶シリコン膜の下側の部分は上側の部分に比べて平均粒径が大きく、かつ前記多結晶シリコン膜中にはその膜厚方向において酸素濃度のピークが存在しないことを特徴とするMIS型半導体装置。

IPC (5件)：

H01L 29/78 , H01L 21/28 301 , H01L 21/8238 , H01L 27/092 , H01L 29/43

FI (4件)：

H01L 29/78 301 G , H01L 21/28 301 A , H01L 27/08 321 D , H01L 29/46 A

引用特許：

審査官引用 (6件)

特開平4-326766
半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-085563 出願人：川崎製鉄株式会社
特開平2-298074

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