特許
J-GLOBAL ID：200903057375880560
単結晶粒子が配向されたセラミックス高次構造体の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-079130
公開番号（公開出願番号）：特開2004-131363
出願日： 2003年03月20日
公開日（公表日）： 2004年04月30日
要約：
【課題】鋳込み成形のための型や容器を必要せずに、簡便に、単結晶粒子の配向性と層厚の制御を可能として、高度にセラミックス単結晶粒子が配向された単層または多層のセラミックス高次構造体を提供する。【解決手段】溶媒中に帯電、分散させたセラミックス単結晶粒子サスペンションに強磁場を印加することにより、その単結晶磁気異方性を利用して個々の粒子を配向させ、その配向状態のサスペンションに電場を印加して、帯電・配向セラミックス粒子を堆積させて単結晶粒子の方位や層厚が高度に制御されたセラミックス構造体を得る。【選択図】 図6
請求項（抜粋）：
帯電させたセラミックス単結晶粒子のサスペンションに磁場を印加することにより単結晶粒子を配向させ、その配向を保持した状態でサスペンションに電場を印加し、帯電したセラミックス単結晶粒子を電気泳動させながら電極基板もしくはその上のセラミックス単結晶粒子層上に堆積させることを特徴とする単結晶粒子が配向されたセラミックス高次構造体の製造方法。
IPC (3件)：
C30B29/20
, C04B35/10
, C25D15/02
C30B29/20
, C25D15/02 A
, C25D15/02 F
, C04B35/10 E
4G030AA36
, 4G030BA20
, 4G030CA01
, 4G030CA02
, 4G030CA08
, 4G030GA18
, 4G077AA03
, 4G077BB01
, 4G077CB02
, 4G077EC02
, 4G077EJ01
, 4G077EJ02
