特許
J-GLOBAL ID：200903057385151648
半導体装置及びその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (8件)：
前田 弘
, 小山 廣毅
, 竹内 宏
, 嶋田 高久
, 竹内 祐二
, 今江 克実
, 手島 勝
, 藤田 篤史
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-233269
公開番号（公開出願番号）：特開2004-072052
出願日： 2002年08月09日
公開日（公表日）： 2004年03月04日
要約：
【課題】窒化物半導体を大面積で且つ膜割れを生じさせることなく異種基板から分離することができるようにする。【解決手段】波長が355nmのパルス状に発振するYAGレーザの第3高調波光を基板10における窒化ガリウムを含む半導体膜11の反対側の面からその面内をスキャンするように照射する。レーザ光は基板10では吸収されず、半導体膜11の基板10との界面の近傍で吸収される。このとき、レーザ光のパワー密度を約280mJ/cm2 に設定することにより、第1コンタクト層51を構成する窒化ガリウムにおけるガリウムの組成がその化学量論比と比べて大きい、ガリウムリッチな状態に変質した変質層11aが界面近傍に形成する。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
基板の上に、第1の化合物半導体からなる第1半導体膜を形成する第1の工程と、
前記基板における前記第1半導体膜の反対側の面から、前記基板で吸収されずに前記第1半導体膜で吸収される波長を有する照射光を照射して、前記第1半導体膜から前記基板を分離する第2の工程とを備え、
前記第1半導体膜の一部は、前記第1の化合物半導体の化学量論比と異なる組成比を有していることを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (7件)：
5F041CA04
, 5F041CA34
, 5F041CA40
, 5F041CA46
, 5F041CA65
, 5F041CA74
, 5F041CA77
