特許
J-GLOBAL ID：200903084552616906
応力緩和された積層構造を形成する方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
上野 英夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-238154
公開番号（公開出願番号）：特開2000-091632
出願日： 1999年08月25日
公開日（公表日）： 2000年03月31日
要約：
【要約】【課題】基板上に、熱膨張係数及び/又は格子定数がその基板と大幅に相違する成長層を成長させるための改良された方法を提供すること。【解決手段】サファイア基板12上にGaN成長層10を成膜される。成膜は十分高温で行われるが、それが完全に冷却される前にサファイア基板12側からGaN成長層10に向けて紫外光14を照射する。このとき、GaN成長層10の基板12側に位置する一部の分解層11は、紫外光14を受けて分解されるので、両層間に生じるひずみ応力が緩和又は除去される。両層の界面の一部を成すアイランド部13に対しては紫外線14は照射されず、これによりGaN成長層10のサファイア基板12に対する十分な接着性が維持される。
請求項（抜粋）：
熱膨張係数及び/又は格子定数の異なる第1の層と第2の層との積層構造を形成する方法であって、前記第1の層を前記第2の層の上に成膜する工程と、前記第1の層及び前記第2の層の界面で、前記第1の層及び前記第2の層の少なくとも一方が含まれる一部を分解する工程とを有することを特徴とする積層構造を形成する方法。
引用特許：
出願人引用 (7件)
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審査官引用 (7件)
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引用文献：
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