特許

J-GLOBAL ID：200903052308879793

2つの材料層を相互に分離する方法及びこの方法により製造された電子部品

発明者： マイケル ケー ケリー ,  オリヴァー アムバッハー ,  マーティン シュトゥッツマン ,  マーティン エス ブラント ,  ローマン ディミトローフ ,  ローベルト ハントシュー
出願人/特許権者： シーメンス アクチエンゲゼルシヤフト
代理人 (1件)： 矢野 敏雄 (外3名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-516150
公開番号（公開出願番号）：特表2001-501778
出願日： 1997年10月01日
公開日（公表日）： 2001年02月06日
要約：

【要約】2つに分離された材料層がほぼ完全に得られるように2つの材料層を相互に分離するにあたり、双方の材料層の一方を通して、材料層が分離されるべき箇所の双方の材料層の間の界面又はこの界面付近の領域を電磁放射線で露光し、電磁放射線を界面又は界面付近の領域内で吸収させ、この吸収により界面での材料の分解を誘導する、2つの材料層を相互に分離する方法。

請求項（抜粋）：

2つに分離された材料層がほぼ完全に得られるように2つの材料層を相互に分離する方法において、双方の材料層の一方を通して、材料層が分離されるべき箇所の前記の両方の材料層の間にある界面又はこの界面付近の領域を電磁放射線で露光し、、前記の電磁放射線は界面で又は界面付近の領域内で吸収され、この吸収により界面での材料の分解が誘導されることを特徴とする、2つの材料層を相互に分離する方法。

IPC (7件)：

H01L 21/26 ,  G02B 5/18 ,  G02B 6/13 ,  H01L 21/02 ,  H01L 21/268 ,  H01L 33/00 ,  H01S 5/323

FI (7件)：

H01L 21/26 E ,  G02B 5/18 ,  H01L 21/02 B ,  H01L 21/268 E ,  H01L 33/00 C ,  H01S 5/323 ,  G02B 6/12 M

引用特許：

審査官引用 (3件)

• ダイヤモンド薄板の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-024033   出願人：住友電気工業株式会社
• 薄膜素子の転写方法,薄膜素子,薄膜集積回路装置,アクティブマトリクス基板および液晶表示装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-315590   出願人：セイコーエプソン株式会社
• 特公昭48-025816
  

引用文献：

審査官引用 (1件)

• Optical patterning of GaN films