半導体結晶欠陥検査方法、半導体結晶欠陥検査装置、及びその半導体結晶欠陥検査装置を用いた半導体装置の製造方法

発明者： , , , ,
出願人/特許権者： , ,
代理人 (1件)：柿本恭成
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-251719
公開番号（公開出願番号）：特開2006-073572
出願日： 2004年08月31日
公開日（公表日）： 2006年03月16日
要約：

【課題】高空間分解能で測定位置の確認ができ、且つ高空間分解能で試料分析ができるカソードルミネッセンス(CL)を用いた半導体結晶欠陥検出方法等を提供する。【解決手段】表面側にシリコン層を有する基板2をステージ3に載置する工程と、基板2を温度100K〜4Kに冷却する工程と、ステージ3と基板表面を照射するための電子線とのいずれか一方を2次元的に走査して、基板表面の所定領域内を電子線により順次照射する工程と、基板表面から発生したCL光のうちの波長1200nm〜1700nmの近赤外光を検出すると共に、検出位置確認のために、基板表面から発生した2次電子を検出する工程と、検出された2次電子により基板表面の画像である2次電子像を表示すると共に、2次電子像に対応させて、検出された近赤外光の強度を表示し、基板表面で近赤外光の強度が大きい部位を特定する工程とを順に実行している。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

半導体素子の形成処理が行われるシリコン層を表面側に有する基板を、支持台に載置する工程と、前記基板のシリコン層を温度100K〜4Kに冷却する工程と、前記支持台と前記シリコン層の表面を照射するための電子線とのいずれか一方を2次元的に走査して、前記シリコン層の表面の所定領域内を前記電子線により順次照射する工程と、前記シリコン層から発生した波長1200nm〜1700nmの近赤外光を検出すると共に、前記シリコン層から発生した2次電子を検出する工程と、前記検出された2次電子により前記シリコン層の表面画像である2次電子像を表示すると共に、前記2次電子像に対応させて、前記検出された波長1200nm〜1700nmの近赤外光の強度を表示し、前記シリコン層の表面で前記波長1200nm〜1700nmの近赤外光の強度が大きい部位を特定する工程と、を有することを特徴とする半導体結晶欠陥検査方法。

IPC (3件)：

H01L 21/66 , G01N 21/62 , G01N 23/225

FI (3件)：

H01L21/66 N , G01N21/62 A , G01N23/225

Fターム (37件)：

2G001AA03 , 2G001BA07 , 2G001CA03 , 2G001GA06 , 2G001HA13 , 2G001JA14 , 2G001KA03 , 2G001LA11 , 2G001PA07 , 2G001PA11 , 2G043AA03 , 2G043CA07 , 2G043DA01 , 2G043DA05 , 2G043DA08 , 2G043EA11 , 2G043FA01 , 2G043FA02 , 2G043HA03 , 2G043HA05 , 2G043JA02 , 2G043JA04 , 2G043JA05 , 2G043KA01 , 2G043KA05 , 2G043LA01 , 2G043LA02 , 2G043LA03 , 4M106AA01 , 4M106BA02 , 4M106CB19 , 4M106DA15 , 4M106DH13 , 4M106DH33 , 4M106DH45 , 4M106DH55 , 4M106DJ23

引用特許：

出願人引用 (2件)

特開昭56-35043号公報
特公平6-41915号公報

審査官引用 (4件)

固体表面観察装置と固体表面観察方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-198841 出願人：キヤノン株式会社
シリコン単結晶ウェーハの製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-015936 出願人：信越半導体株式会社
半導体ウェーハの損傷評価用試料およびこの試料を用いた損傷評価方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-054858 出願人：新日本製鐵株式会社

全件表示

前のページに戻る