特許
J-GLOBAL ID：200903057403683849
高電圧スイッチング素子およびそれを形成するためのプロセス
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
山崎 宏
, 前田 厚司
, 仲倉 幸典
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-502360
公開番号（公開出願番号）：特表2005-530334
出願日： 2003年04月30日
公開日（公表日）： 2005年10月06日
要約：
この発明は、ショットキーダイオード(10)、P-NダイオードおよびP-I-Nダイオードを含む様々なスイッチング素子構造に関する。それらは、伝導性GaN層上に成長された低ドーパント濃度(<1×1016/cm3)の、低欠陥密度、低クラック密度、低ピット密度および十分な厚さ(>2.5μm)のGaN層(16)によって特徴づけられる。この発明の素子は、ヘテロエピタキシャル基板上での実質的により高い降伏電圧(<2KV)と、ホモエピタキシャル基板上での極端に高い降伏電圧(>2KV)を可能にする。
請求項（抜粋）：
(a) 約5×106/cm2以下の転位欠陥密度によって特徴付けられた上面を持つ第1の伝導性GaNベース層と、
(b) 上記伝導性GaNベース層の最上層の上方に形成され、約1×1016/cm3以下のドーパント濃度を持つ第2のGaN層と、
(c) 上記第1のGaN層の上方の、そのGaN層と金属対半導体接合を形成する少なくとも一つの金属コンタクトと
を備えたマイクロエレクトロニクス素子構造。
IPC (3件)：
H01L29/47
, H01L29/861
, H01L29/872
H01L29/48 D
, H01L29/91 D
, H01L29/48 P
4M104AA04
, 4M104CC03
, 4M104FF31
, 4M104GG02
, 4M104GG03
