特許

J-GLOBAL ID：200903057415989188

Y字形の素子分離膜を持つ半導体素子およびディボット発生を防止し工程が簡単な素子分離膜の製造法

発明者： 朴 泰 緒 ,  朴 ▲けい▼ 媛 ,  金 成 ▲鎮▼
出願人/特許権者： 三星電子株式会社
代理人 (1件)： 八田 幹雄 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-340775
公開番号（公開出願番号）：特開2001-196450
出願日： 2000年11月08日
公開日（公表日）： 2001年07月19日
要約：

【要約】【課題】 Y字形の素子分離膜を持つ半導体素子およびディボット発生を防止し工程が簡単な素子分離膜の製造法を提供する。【解決手段】 左側と右側に第1傾斜部S1および第2傾斜部S2を各々具備したY字形の素子分離膜117を半導体基板内に含む半導体素子。および感光膜パターンを蝕刻マスクとして使用して半導体基板内にトレンチを形成し、次いで、半導体基板の全面に熱酸化膜を形成後、熱酸化膜上に薄い窒化膜ライナを形成する。窒化膜ライナはトレンチ側壁の酸化を防止するだけではなく、平坦化阻止膜として機能する。それから、トレンチを埋込むギャップ充填絶縁膜を形成しつつ、窒化膜ライナをトレンチ上部コーナー部分で分離するか、薄くする。そうした後、窒化膜ライナを平坦化阻止膜として使用してギャップ充填絶縁膜を平坦化した後、窒化膜ライナを除去する工程を具備する素子分離膜の製造法。

請求項（抜粋）：

(a)半導体基板内にトレンチを形成する段階と、(b)前記トレンチが形成された前記半導体基板の全面に熱酸化膜を形成する段階と、(c)前記熱酸化膜上に窒化膜ライナを形成する段階と、(d)前記トレンチをギャップ充填絶縁膜で埋込みつつ、前記トレンチの上部コーナーに形成された前記窒化膜ライナを除去する段階と、(e)前記窒化膜ライナを平坦化阻止膜として使用して前記半導体基板の全面を平坦化する段階と、(f)前記ギャップ充填絶縁膜に対する平坦化段階にて露出された窒化膜ライナを除去する段階とを含むことを特徴とするディボット発生を防止し工程が簡単な素子分離膜製造法。

IPC (6件)：

H01L 21/76 ,  H01L 21/3065 ,  H01L 21/304 622 ,  H01L 21/306 ,  H01L 21/316 ,  H01L 21/318

FI (8件)：

H01L 21/304 622 X ,  H01L 21/316 S ,  H01L 21/316 X ,  H01L 21/318 B ,  H01L 21/76 L ,  H01L 21/302 N ,  H01L 21/306 M ,  H01L 21/306 D

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 半導体装置とその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-019361   出願人：三菱電機株式会社
• トレンチ分離構造を備えた半導体装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-132205   出願人：三菱電機株式会社
• トレンチ素子分離方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-334150   出願人：三星電子株式会社
• 特開昭59-149030