特許
J-GLOBAL ID:200903057442715154

基板加熱装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 吉田 茂明 (外2名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平7-173093
公開番号(公開出願番号):特開平9-027503
出願日: 1995年07月10日
公開日(公表日): 1997年01月28日
要約:
【要約】【目的】 基板加熱装置内への基板の搬入に際して基板の熱処理に不均一が生じにくい基板加熱装置を提供すること。【構成】 未処理のウェハWを筐体20中のプレート40及びカバー60間に搬入させ、プレート40上に載置させる。その後、カバー60を降下させて、ウェハWを半密閉空間で所望時間だけ加熱処理する。この際、カバー60の内面60aに熱吸収層が形成されているので、ウェハWの搬入及び搬出時にシャッタ20aから進入した外気によってカバー60下の高温雰囲気が奥側に押込まれても、プレート40からの放射熱をカバー60で効率的に受けることができるので、カバー60のシャッタ20a側における温度低下を抑制できる。よって、ウェハWの温度をその面内で均一なものとして、ウェハW面内の各部で加熱処理の開始当初から等しくし、ウェハWの加熱処理を均一なものとすることができる。
請求項(抜粋):
基板をプレート上に支持して当該基板に所定の加熱処理を行う基板処理装置において、前記プレートを覆うカバーの少なくとも内面に、放射熱に対する吸収性材料からなる熱吸収層が形成されていることを特徴とする基板加熱装置。
IPC (2件):
H01L 21/324 ,  H01L 21/027
FI (2件):
H01L 21/324 H ,  H01L 21/30 567
引用特許:
審査官引用 (3件)

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