特許

J-GLOBAL ID：200903057497386168

金属膜のエッチング方法及びそのエッチング装置

発明者： 葛 西 優 ,  小野田 利 康 ,  古水戸 順 介
出願人/特許権者： 株式会社芝浦製作所
代理人 (1件)： 佐藤 一雄 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-072744
公開番号（公開出願番号）：特開平9-266195
出願日： 1996年03月27日
公開日（公表日）： 1997年10月07日
要約：

【要約】【課題】 金属膜の下層に損傷を発生することなく、かつ金属膜のエッチング終了時点を確実に検出することができる。【解決手段】 ガス導入管10を流れる反応性ガスはCF4ガスとCl2ガスとO2ガスとの混合ガスからなり、プラズマ発生装置12によってプラズマ化されて、真空容器7に流入する。プラズマ化された反応性ガスは、載置台8上のシリコン基板1の金属膜と反応しエッチングを行う。このエッチング時に真空容器7内に発光が生じる。この発光の量は、シリコン基板1の金属膜の表面積に関連する。光電変換器17は真空容器1内の発光量を検出し、制御装置19はこの検出出力の変化に基づきエッチング終了時点を判別する。

請求項（抜粋）：

半導体基板に層間絶縁膜を形成する工程と、エッチングによって上記層間絶縁膜に接続孔を形成する工程と、上記層間絶縁膜と上記接続孔とに金属膜を形成する工程と、上記接続孔以外に位置する上記金属膜をエッチングする工程とを具備する半導体基板の多層配線方法において、上記金属膜のエッチング工程は、反応性ガスとしてフッ素原子を含むガスと塩素原子を含むガスと酸素ガスとの混合ガスを使用し、エッチング時に生じる発光の量を検出して上記発光量の変化に基づき上記金属膜のエッチング終了時点を判別することを特徴とする金属膜のエッチング方法。

IPC (4件)：

H01L 21/3065 ,  C23F 4/00 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/3213

FI (5件)：

H01L 21/302 E ,  C23F 4/00 F ,  C23F 4/00 E ,  H01L 21/28 F ,  H01L 21/88 D

引用特許：

審査官引用 (2件)

• タングステンのエッチング方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-355214   出願人：新日本製鐵株式会社
• エッチング終点検出方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-166676   出願人：株式会社芝浦製作所