特許
J-GLOBAL ID：200903057520368644
光検出器
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
岡田 賢治
, 今下 勝博
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-322861
公開番号（公開出願番号）：特開2008-140808
出願日： 2006年11月30日
公開日（公表日）： 2008年06月19日
要約：
【課題】本願発明では、Si集積回路の作製プロセスとの整合がよく、1μm以上の波長でも感度を有し、高速で動作する光検出器を提供することを目的とする。【解決手段】本願発明は、光吸収層をGeとし、真性半導体層をSiで構成するPIN構造の光検出器とした。具体的には、極性のあるSi半導体層11と、真性Si半導体層12と、前記Si半導体層11と逆極性のGe半導体層13と、が順に積層されている光検出器1である。 【選択図】図1
請求項（抜粋）：
極性のあるSi半導体層と、
真性Si半導体層と、
前記Si半導体層と逆極性のGe半導体層と、
が順に積層されている光検出器。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (12件)：
5F049MA04
, 5F049MB03
, 5F049NA03
, 5F049NA10
, 5F049NB01
, 5F049NB07
, 5F049PA03
, 5F049PA11
, 5F049QA08
, 5F049RA06
, 5F049SS03
, 5F049WA01
