特許
J-GLOBAL ID：200903057530497299
高誘電率の材料を用いたキャパシタ及びその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
服部 雅紀
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-288807
公開番号（公開出願番号）：特開平8-236723
出願日： 1995年11月07日
公開日（公表日）： 1996年09月13日
要約：
【要約】【課題】 高誘電率の材料を利用したキャパシタ及びその製造方法を提供する。【解決手段】 半導体基板10上に前記基板10と接続するように形成されたストレージ電極17と、前記ストレージ電極17の下部に形成され、前記ストレージ電極17を基板10と接続するためのコンタクトホール及び隣接した前記ストレージ電極17の間にトレンチtの形成された絶縁層、前記ストレージ電極17の上部及びトレンチtの内部に形成された誘電体膜20と、前記誘電体膜20の上部に形成されたプレート電極22とを具備することを特徴とするキャパシタを提供する。このキャパシタによると、漂遊キャパシタンスの発生を防止する上、ストレージ電極17の表面全体に有効な電荷蓄積が可能なのでキャパシタンスを増加させ得る。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に前記基板と接続するように形成されたストレージ電極と、前記ストレージ電極の下部に形成され、前記ストレージ電極を基板と接続するためのコンタクトホール及び隣接した前記ストレージ電極の間にトレンチの形成された絶縁層と、前記ストレージ電極の上部及び前記トレンチの内部に形成された誘電体膜と、前記誘電体膜の上部に形成されたプレート電極と、を具備することを特徴とするキャパシタ。
IPC (6件)：
H01L 27/108
, H01L 21/8242
, H01B 3/12 301
, H01G 4/12 394
, H01L 27/04
, H01L 21/822
H01L 27/10 651
, H01B 3/12 301
, H01G 4/12 394
, H01L 27/04 C
, H01L 27/10 681 D
