特許
J-GLOBAL ID：200903057555112707

パターン形成用レジスト積層体及びそれを用いたパターン形成方法

発明者：
金子 文武

金子 文武 について

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藤村 悟史

藤村 悟史 について

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中山 寿昌

中山 寿昌 について


出願人/特許権者：
東京応化工業株式会社

東京応化工業株式会社 について


代理人 (1件)： 阿形 明 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-238224
公開番号（公開出願番号）：特開平11-084673
出願日： 1997年09月03日
公開日（公表日）： 1999年03月26日
要約：
【要約】【課題】 断面形状に優れた、忠実度の高いパターンを形成しうる、反射防止層を含むパターン形成用レジスト積層体、及びそれを用いてパターンを形成する方法を提供する。【解決手段】 基板上に設けられた反射防止層の上に、オキシムスルホネート系化合物及びトリス(ハロゲノアルキル)イソシアヌレートから成る酸発生剤を含むネガ型レジスト層を有するレジスト積層体を作成し、及びこの積層体のネガ型レジスト層に、活性線を選択的に照射後、加熱処理を施したのち、現像処理して反射防止層にネガ型レジストパターンを形成させ、次いでこのレジストパターンをマスクとしてドライエッチング処理して基板上にパターンを形成させる。
請求項（抜粋）：
基板上に設けられた反射防止層の上に、オキシムスルホネート系化合物及びトリス(ハロゲノアルキル)イソシアヌレートから成る酸発生剤を含有するネガ型レジスト膜を積層したことを特徴とするパターン形成用レジスト積層体。
IPC (6件)：
G03F 7/11 503 ,  G03F 7/004 501 ,  G03F 7/004 503 ,  G03F 7/004 506 ,  G03F 7/038 601 ,  H01L 21/027
FI (6件)：
G03F 7/11 503 ,  G03F 7/004 501 ,  G03F 7/004 503 A ,  G03F 7/004 506 ,  G03F 7/038 601 ,  H01L 21/30 574
引用特許：
審査官引用 (4件)
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