特許
J-GLOBAL ID：200903086945999877
レジスト積層体及びそれを用いたパターン形成方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
阿形 明 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-239590
公開番号（公開出願番号）：特開平10-090880
出願日： 1996年09月10日
公開日（公表日）： 1998年04月10日
要約：
【要約】【課題】 断面形状に優れた、忠実度の高いパターンを形成しうる、反射防止膜を含むレジスト積層体、及びそれを用いてパターンを形成する方法を提供する。【解決手段】 基板上に設けられた反射防止膜の上に、オキシムスルホネート系化合物から成る酸発生剤を含むネガ型レジスト膜を有するレジスト積層体を作成し、及びこの積層体のネガ型レジスト膜に、活性線を選択的に照射後、加熱処理を施したのち、現像処理して反射防止膜上にネガ型レジストパターンを形成させ、次いでこのレジストパターンをマスクとしてドライエッチング処理して基板上にパターンを形成させる。
請求項（抜粋）：
基板上に設けられた反射防止膜の上に、オキシムスルホネート系化合物から成る酸発生剤を含有するネガ型レジスト膜を形成したことを特徴とするレジスト積層体。
IPC (6件)：
G03F 7/004 503
, G03F 7/004 506
, G03F 7/038 505
, G03F 7/11 503
, H01L 21/027
, H01L 21/3065
G03F 7/004 503
, G03F 7/004 506
, G03F 7/038 505
, G03F 7/11 503
, H01L 21/30 574
, H01L 21/302 H
