特許
J-GLOBAL ID：200903057579118803

金属の電解製造及び精練方法

発明者：
ドナルド,サドウエイ

ドナルド,サドウエイ について

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ヨハンセン,カイ

ヨハンセン,カイ について

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ミユレ,ビヨルン

ミユレ,ビヨルン について

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エングヴォール,マリアンヌ

エングヴォール,マリアンヌ について

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エングヴォール,クリスター

エングヴォール,クリスター について


出願人/特許権者：
エルケム アクシエセルスカプ

エルケム アクシエセルスカプ について


代理人 (2件)： 浜野 孝雄 ,  平井 輝一
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-558531
公開番号（公開出願番号）：特表2009-529607
出願日： 2007年03月08日
公開日（公表日）： 2009年08月20日
要約：
本発明は約100°C以上の融点を有する金属、特にケイ素の電解製造及び精練方法に関し、その際第1の電解質よりなる上部溶融電解質層と、精練すべき金属の合金よりなる下部溶融合金層と、精練すべき金属よりも貴重な少なくとも1つの金属とを有する第1の電解槽が設けられる。下方の合金層は第1の電解槽におけるカソードであり、アノードは上方の溶融電解質層に定置される。第2の電解槽はまた、精練すべき金属と同じ金属よりなる上部溶融金属層であって、カソードを構成する金属層と、アノードを構成する下部溶融合金層であって、精練すべき金属よりも高い密度を有する合金の下部層と、上部溶融層と下部溶融層との密度同志間の密度を有する中間の溶融電解質層とを備えている。両方の電解質共、精練すべき金属の酸化物を含有する酸化物基質の電解質であり、電解質は溶融状態にありしかも本法の操作温度以下の融点を有する。精練すべき金属の酸化物を包含する原料を第1の電解槽に添加し、精練すべき金属がアノードから移動し、カソードで溶融状態で沈着されるように直流をアノードを通してカソードに通電する。2つの電解槽は、2つの別個の工程で操作でき、合金を製造する1つの工程と合金から金属を精練する別の工程よりなる。
請求項（抜粋）：
電解法で金属を製造し且つ精練する方法において、 第1の電解槽に対して、精錬すべき金属の酸化物を含有する第1の酸化物基質の電解質よりなる上部溶融電解質層であって第1の電解質が溶融状態にありしかも本法の操作温度以下の融点を有し、上部溶融電解層に定置させたアノードよりなる上部溶融電解質槽と、精練すべき金属と精練すべき金属よりも貴重な少なくとも1つの金属との合金よりなる下部溶融合金層であって該合金が第1の電解槽においてカソードを成す下部溶融合金層とを設け、その際前記の第1の電解槽は合金の密度より小さい密度を有するものとし; 精練すべき金属の金属酸化物よりなる原料を前記の上部溶融電解質層に添加し; 直流をアノードに通してカソードに通電して金属酸化物を還元してより高濃度の精練すべき金属の合金を製造し; 第1の電解槽の下部溶融合金層の合金を第2の電解槽に移送して第2の電解槽に合金よりなる下部溶融合金層を設け、該合金は第2の電解槽でアノードを成すものとし; 第2の電解槽に対して、精練すべき金属と同じ金属の金属よりなる上部溶融金属層であってアノードを構成する上部溶融金属層と、精練すべき金属の酸化物を含有する第2の酸化物基質の電解質よりなる中間の溶融電解質層とを設け、その際第2の電解質は溶融状態にありしかも本法の操作温度以下の融点を有し、前記の第2の電解質は上部溶融金属層と下部溶融合金層との密度同志間の密度を有するものとし; 直流を第2の電解槽のアノードに通してカソードに通電し、これによって精練すべき金属はアノード合金から、上部溶融金属層に移動することを特徴とする、金属の電解製造及び精練方法。
IPC (3件)：
C25B 1/00 ,  C25C 3/28 ,  C25C 3/34
FI (3件)：
C25B1/00 Z ,  C25C3/28 ,  C25C3/34 Z
Fターム (21件)：
4K021AA09 ,  4K021AB25 ,  4K021BA01 ,  4K021BA17 ,  4K021BC01 ,  4K021BC07 ,  4K021DA06 ,  4K021DC15 ,  4K058AA11 ,  4K058BA07 ,  4K058BA10 ,  4K058BA33 ,  4K058BB05 ,  4K058CB01 ,  4K058CB06 ,  4K058CB13 ,  4K058CB16 ,  4K058DD01 ,  4K058EC01 ,  4K058EC04 ,  4K058FA03
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (4件)
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