特許
J-GLOBAL ID：200903057584570161
半導体製造装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
桑井 清一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-018996
公開番号（公開出願番号）：特開平7-211702
出願日： 1994年01月19日
公開日（公表日）： 1995年08月11日
要約：
【要約】【目的】 簡便な装置構成により、低圧領域において高密度プラズマを発生可能な半導体製造装置を提供する。【構成】 反応容器1内下部にウェーハ6が載置される下部電極7を設け、これにRF電源9を接続する。反応容器1の上部から側部にかけて渦巻状コイル3を卷回する。渦巻状コイル3にはRF電源5からRF電圧を印加する。RF電源を印加すると、反応容器1上部の渦巻状コイル3の部分により反応容器1内部にて磁場が生じ、反応ガスがプラズマ化する。反応容器1内壁面に向かって飛散した電子は、反応容器1の側部の渦巻状コイル3の部分による磁場により壁面から押し戻される。よって、高密度プラズマ中の電子は反応容器1内壁面において消滅せず、低圧領域にても高密度のプラズマを生成できる。
請求項（抜粋）：
反応気体で満たされるとともに、電気的に接地された反応容器と、反応容器内の下部に配設され、試料が載置された下部電極と、下部電極に高周波電圧を印加する第1のRF電源と、反応容器の外側であって、反応容器の上部から側部にかけて卷回された渦巻状コイルと、渦巻状コイルに高周波電流を流す第2のRF電源とを有することを特徴とした半導体製造装置。
IPC (2件)：
引用特許：
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