特許
J-GLOBAL ID:200903057598345721

位相シフトフォトマスク及び位相シフトフォトマスクドライエッチング方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 韮澤 弘 (外7名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平7-039677
公開番号(公開出願番号):特開平8-234410
出願日: 1995年02月28日
公開日(公表日): 1996年09月13日
要約:
【要約】【目的】 位相シフトフォトマスクのドライエッチングによる製造の際に、領域によってパターンの開口率に大きな差があっても、パターン寸法の面内均一性を得ることができる。【構成】 他の領域に比べて実質的に位相をずらす位相シフト層を設けた領域を有する位相シフトフォトマスクにおいて、パターン露光領域9、10外に、ドライエッチング速度補正用のダミーエッチングパターン13を配置するか、パターン露光領域内に、転写による解像限界以下のサイズのドライエッチング速度補正用のダミーエッチングパターンを配置して、位相シフトフォトマスクをドライエッチングする際のパターンの粗密に起因するエッチングの分布を低減させ、高精度の位相シフトフォトマスクを提供する。
請求項(抜粋):
他の領域に比べて実質的に位相をずらす位相シフト層を設けた領域を有する位相シフトフォトマスクにおいて、パターン露光領域外に、ドライエッチング速度補正用のダミーエッチングパターンを配置したことを特徴とする位相シフトフォトマスク。
IPC (4件):
G03F 1/08 ,  G03F 7/36 ,  H01L 21/027 ,  H01L 21/3065
FI (5件):
G03F 1/08 A ,  G03F 7/36 ,  H01L 21/30 502 P ,  H01L 21/30 528 ,  H01L 21/302 A
引用特許:
審査官引用 (4件)
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