特許

J-GLOBAL ID：200903057608631957

化合物半導体ウェハ

発明者： 鈴木 隆
出願人/特許権者： 日立電線株式会社
代理人 (1件)： 絹谷 信雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-200100
公開番号（公開出願番号）：特開2002-015966
出願日： 2000年06月28日
公開日（公表日）： 2002年01月18日
要約：

【要約】【課題】 表裏識別を正確に行える化合物半導体ウェハを提供する。【解決手段】 円盤状に形成され、外周の一部に、結晶の方位を識別するため表裏両面から面取りされたノッチ20を有する化合物半導体ウェハにおいて、このノッチを表面21と裏面22とで傾斜角度が異なるように形成する。

請求項（抜粋）：

円盤状に形成され、外周の一部に、結晶の方位を識別するため表裏両面から面取りされたノッチを有する化合物半導体ウェハにおいて、該ノッチは表面と裏面とで傾斜角度が異なることを特徴とする化合物半導体ウェハ。

IPC (2件)：

H01L 21/02 ,  H01L 21/68

FI (2件)：

H01L 21/02 B ,  H01L 21/68 M

Fターム (5件)：

5F031CA02 ,  5F031JA35 ,  5F031JA50 ,  5F031KA13 ,  5F031KA14

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 半導体装置の製造方法およびそれに使用される半導体ウエハ並びにその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-168190   出願人：株式会社日立製作所, 日立超エル・エス・アイ・エンジニアリング株式会社
• ノッチ付き半導体ウェーハ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-140106   出願人：コマツ電子金属株式会社
• 半導体集積回路装置の製造方法および半導体ウエハ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-060702   出願人：株式会社日立製作所, 日立東京エレクトロニクス株式会社