特許
J-GLOBAL ID：200903057611218327

微細構造体の形成方法

発明者：
荻野 誠司

荻野 誠司 について


出願人/特許権者：
住友電気工業株式会社

住友電気工業株式会社 について


代理人 (1件)： 深見 久郎 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-051723
公開番号（公開出願番号）：特開平7-263379
出願日： 1994年03月23日
公開日（公表日）： 1995年10月13日
要約：
【要約】【目的】 いわゆるLIGA法において、基板に垂直な方向により複雑な形状を有し、かつよりアスペクト比の高い構造体を構築することができる方法を提供する。【構成】 基板10上にレジスト層13を形成した後、レジスト層13についてシンクロトロン放射光を用いたリソグラフィによりレジストパターン13′を形成する。レジストパターン13′に従って、基板10上に金属構造体14を電気めっきにより堆積させる。レジストパターン13′を除去した後、得られた金属構造体14′を残すことができ、かつ基板材料を選択的に除去できる条件下で、基板10を部分的にエッチングする。基板10のエッチングにより形成された構造体と金属構造体14とによって所望の構造体15を形成させることができる。
請求項（抜粋）：
基板上にレジスト層を形成した後、前記レジスト層についてシンクロトロン放射光を用いたリソグラフィによりレジストパターンを形成する工程と、前記レジストパターンに従って前記基板上に金属構造体を電気めっきにより堆積させる工程と、前記レジストパターンを除去する工程と、前記金属構造体を残すことができ、かつ前記基板材料を選択的に除去できる条件下で、前記基板を部分的にエッチングする工程とを備え、前記基板のエッチングにより形成された構造体と前記金属構造体とによって所望の構造体を形成することを特徴とする、微細構造体の形成方法。
IPC (3件)：
H01L 21/288 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/306
引用特許：
審査官引用 (2件)

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