特許
J-GLOBAL ID：200903057616013103
半導体装置の製造方法及び半導体製造装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
竹村 壽
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-170303
公開番号（公開出願番号）：特開平8-339981
出願日： 1995年06月13日
公開日（公表日）： 1996年12月24日
要約：
【要約】【目的】 研磨剤に金属不純物を含まないイオン水を使用して金属汚染を減少させると共に研磨レートを制御することができる半導体装置の製造方法及び金属汚染の少ない半導体製造装置を提供する。【構成】 トップリング50により保持された半導体ウェーハ(図示せず)のポリッシング処理において、研磨剤とともに金属不純物を含まないアルカリイオン水又は酸性イオン水を半導体ウェーハのポリッシングに使用する。研磨布19に研磨剤を注入するパイプ51とイオン水を注入するパイプ52とを設ける。金属不純物を含まないイオン水を使用することによって研磨剤をアルカリ性又は酸性に維持することができるので、ポリッシング時に金属汚染を減少させることができると共にポリッシングレートを制御することが可能になる。また、イオン水はポリッシングしたあとの半導体ウェーハの表面を安定化させることができる。
請求項（抜粋）：
純水又は超純水の電気分解により生成したイオン水と、研磨粒子を含む研磨剤とを研磨布に供給しながら、この研磨布を用いて半導体ウェーハのポリッシングされる膜を有する主面をポリッシングすることを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
H01L 21/304 321
, H01L 21/304
H01L 21/304 321 M
, H01L 21/304 321 P
