特許
J-GLOBAL ID：200903057619003257
半導体装置及びその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
野口 繁雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-261924
公開番号（公開出願番号）：特開2004-103738
出願日： 2002年09月06日
公開日（公表日）： 2004年04月02日
要約：
【課題】ウェハからチップを切り出す際にチッピングやクラックの発生を防止する。【解決手段】半導体ウェハ2の一表面に、分割領域に対応して開口部35をもち、かつ半導体装置の形成領域形状の角部分に対応して丸みをもつエッチング阻止膜33を形成し(k)、エッチング技術によりエッチング阻止膜33をマスクにして半導体ウェハ2を選択的に除去して個々の半導体装置4に分割する(l)。エッチング技術を用いてウェハから半導体装置4を切り出すので、チッピングやクラックの発生を防止することができる。さらに、半導体ウェハ2の分割と同時に半導体装置の角部分に丸みをもたせることができ、搬送時などにおけるチッピングやクラックの発生を防止することができ、外観不良の低減及び信頼性の向上を図ることができる。【選択図】 図4
請求項（抜粋）：
複数の半導体装置が形成された半導体ウェハを個々の半導体装置に分割する分割工程を含む半導体装置の製造方法において、
前記分割工程は、半導体ウェハの一表面に、分割領域に対応して開口部をもち、かつ半導体装置の形成領域形状の角部分に対応して丸みをもつエッチング阻止膜を形成し、エッチング技術により前記エッチング阻止膜をマスクにして半導体ウェハを選択的に除去して個々の半導体装置に分割することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L23/12 501P
, H01L21/56 R
5F061AA01
, 5F061BA07
, 5F061CA10
, 5F061CB13
