特許

J-GLOBAL ID：200903057672067178

強誘電体メモリ

発明者： 奥和田 久美 ,  ▲もたい▼ 貴子
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 三好 秀和 (外7名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-074743
公開番号（公開出願番号）：特開2001-267518
出願日： 2000年03月16日
公開日（公表日）： 2001年09月28日
要約：

【要約】【課題】 信頼性が高く、かつ高集積化が可能な強誘電体メモリを提供する。【解決手段】 強誘電体メモリは、非Pb系の強誘電体膜と、ペロブスカイト型の酸化物電極とを有する強誘電体キャパシタを備え、前記酸化物電極の少なくとも1層が、ABxOy(0.5<x<1.0、1.5<y<3.3)で表わされる酸化物である。この強誘電体キャパシタは、MFM構造を有する強誘電体キャパシタ、または、MFS構造、MFMIS構造、MFIS構造を有する電解効果型強誘電体キャパシタである。酸化物電極の少なくとも一方は、たとえばSrRu<SB>0.95</SB>O<SB>3.1</SB>で形成される。

請求項（抜粋）：

非Pb系の強誘電体膜と、ペロブスカイト型の酸化物電極とを有する強誘電体キャパシタを備え、前記酸化物電極の少なくとも1層が、AB<SB></SB><SB>x</SB>O<SB>y</SB>(0.5<x<1.0、1.5<y<3.3)で表わされる酸化物であることを特徴とする強誘電体メモリ。

IPC (6件)：

H01L 27/10 451 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/8242 ,  H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792

FI (3件)：

H01L 27/10 451 ,  H01L 27/10 651 ,  H01L 29/78 371

Fターム (21件)：

5F001AA17 ,  5F001AF06 ,  5F001AF10 ,  5F001AF25 ,  5F083FR02 ,  5F083FR05 ,  5F083FR06 ,  5F083FR07 ,  5F083GA02 ,  5F083GA21 ,  5F083JA17 ,  5F083JA39 ,  5F083JA40 ,  5F083JA45 ,  5F083MA06 ,  5F083MA17 ,  5F083PR33 ,  5F101BA62 ,  5F101BF02 ,  5F101BF09 ,  5F101BF10

引用特許：

審査官引用 (2件)

• ペロブスカイト型酸化物膜を含む電子装置とその製造方法及び強誘電体キャパシタ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-293698   出願人：富士通株式会社
• 半導体装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-199549   出願人：株式会社東芝