半導体装置およびその製造方法

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴江武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-199549
公開番号（公開出願番号）：特開2000-022109
出願日： 1998年06月30日
公開日（公表日）： 2000年01月21日
要約：

【要約】【課題】電極材料としてSrRuO3 を用いキャパシタの下部電極とその下地のWプラグ電極との間のコンタクト抵抗を下げること。【解決手段】Wプラグ2が埋込み形成された第1の層間絶縁膜1上にSrRuO3 下部電極4を形成するとともに、Wプラグ電極2上に導電性を有する酸化タングステンであるWO2 からなる界面層3を自己整合的に形成する。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に形成され、接続孔を有する絶縁膜と、前記接続孔内に形成され、Wからなる接続電極と、この接続電極上に形成され、WO<SB>3-d </SB>(0<d<3)からなる界面層と、この界面層を介して前記接続電極と電気的に接続され、導電性酸化物からなる下部キャパシタ電極と、この下部キャパシタ電極上に形成されたキャパシタ絶縁膜と、このキャパシタ絶縁膜上に形成された上部キャパシタ電極とを具備してなることを特徴とする半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 27/108 , H01L 21/8242 , H01L 21/28 301 , H01L 27/10 451

FI (5件)：

H01L 27/10 651 , H01L 21/28 301 Z , H01L 27/10 451 , H01L 27/10 621 B , H01L 27/10 621 Z

Fターム (27件)：

4M104BB18 , 4M104BB36 , 4M104CC05 , 4M104DD02 , 4M104EE16 , 4M104GG14 , 4M104GG16 , 5F083AD31 , 5F083AD42 , 5F083AD49 , 5F083AD54 , 5F083FR02 , 5F083GA02 , 5F083GA21 , 5F083GA25 , 5F083JA14 , 5F083JA39 , 5F083JA40 , 5F083JA43 , 5F083JA45 , 5F083MA06 , 5F083MA17 , 5F083PR18 , 5F083PR22 , 5F083PR29 , 5F083PR33 , 5F083PR40

引用特許：

審査官引用 (9件)

強誘電体キャパシタ構造及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-158101 出願人：ソニー株式会社
半導体集積回路装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-242329 出願人：株式会社日立製作所
誘電体薄膜素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-242297 出願人：株式会社東芝

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