特許

J-GLOBAL ID：200903057743125085

放熱性に優れた半導体装置

発明者： 吉田 清輝
出願人/特許権者： 古河電気工業株式会社
代理人 (1件)： 長門 侃二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-343811
公開番号（公開出願番号）：特開2003-152138
出願日： 2001年11月08日
公開日（公表日）： 2003年05月23日
要約：

【要約】【課題】 放熱性が優れているので大電流駆動が可能な半導体装置を提供する。【解決手段】 表面に複数個の動作電極S,G,Dが形成されている半導体デバイスA1のその表面と、表面に少なくとも動作電極を受容する凹部8aが形成されている放熱基板A2のその表面とを、絶縁膜9を介して接合して成り、かつ、半導体デバイスA1製作時の結晶成長用基板1が除去されている放熱性に優れた半導体装置。

請求項（抜粋）：

表面に複数個の動作電極が形成されている半導体デバイスの前記表面と、表面に少なくとも前記動作電極を受容する凹部が形成されている放熱基板の前記表面とを、絶縁膜を介して接合して成り、かつ、前記半導体デバイス製作時の結晶成長用基板が除去されていることを特徴とする、放熱性に優れた半導体装置。

IPC (6件)：

H01L 23/36 ,  C23C 14/06 ,  H01L 21/338 ,  H01L 23/373 ,  H01L 23/40 ,  H01L 29/812

FI (5件)：

C23C 14/06 A ,  H01L 23/40 F ,  H01L 23/36 C ,  H01L 29/80 B ,  H01L 23/36 M

Fターム (24件)：

4K029AA04 ,  4K029BA58 ,  4K029BC05 ,  4K029BD01 ,  4K029CA05 ,  5F036AA01 ,  5F036BB08 ,  5F036BB21 ,  5F036BC06 ,  5F036BD01 ,  5F036BD03 ,  5F102FA00 ,  5F102FA02 ,  5F102GJ10 ,  5F102GK04 ,  5F102GL04 ,  5F102GN04 ,  5F102GR04 ,  5F102GT03 ,  5F102GT05 ,  5F102GV07 ,  5F102HC11 ,  5F102HC15 ,  5F102HC19

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開昭55-052230
  
• 半導体装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-310467   出願人：三洋電機株式会社
• 窒化物半導体基板の作製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-356459   出願人：日亜化学工業株式会社