半導体装置の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-136984
公開番号（公開出願番号）：特開2002-334822
出願日： 2001年05月08日
公開日（公表日）： 2002年11月22日
要約：

【要約】【課題】ウェーハとマスクをステッパに1度セットするだけで、メッキパターンとコンタクトパターンを連続して露光可能とする。【解決手段】第1フィールド21に複数チップ領域分のメッキパターン21aが形成され、第2フィールド22にコンタクトパターン22aが形成されたマスク20とポジレジストが塗布されたウェーハ1とをステッパにセットし、先ず、第1フィールド21を用いてメッキパターン21aを複数チップ領域分ずつ全チップ領域に対してステップ・アンド・リピート投影露光し、フィールドチェンジ後、第2フィールド22を用いてコンタクトパターン22aをウェーハ中心座標を原点とする所定半径の円周上の位置座標の指定のみでアライメントしてウェーハ外周部の6箇所の所定位置にステップ・アンド・リピート投影露光する。

請求項（抜粋）：

フォトリソグラフィック工程でウェーハ上にレジストパターンを形成し、このレジストパターンをマスクにして電解メッキ工程でウェーハ外周部のレジストパターンの開口されたコンタクト領域に電極ピンを接触させてウェーハ上の各チップ領域のレジストパターンの開口された複数のメッキ領域に電極を形成する半導体装置の製造方法において、前記フォトリソグラフィック工程で、前記各メッキ領域にレジストパターンの開口を形成するためのメッキパターンからなる第1フィールドと前記コンタクト領域形成位置にレジストパターンの開口を形成するためのコンタクトパターンからなる第2フィールドとを有するマスクと、レジスト塗布されたウェーハとをステッパにセットし、先ず、第1フィールドを用いてメッキパターンを全チップ領域のメッキ領域に対してステップ・アンド・リピート投影露光し、フィールドチェンジ後、第2フィールドを用いてコンタクトパターンを前記コンタクト領域形成位置にステップ・アンド・リピート投影露光することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 21/027 , G03F 1/08

FI (3件)：

G03F 1/08 D , H01L 21/30 514 B , H01L 21/30 514 A

Fターム (7件)：

2H095BA02 , 2H095BB02 , 2H095BC09 , 5F046BA04 , 5F046CB17 , 5F046CC14 , 5F046FC10

引用特許：

審査官引用 (4件)

半導体製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-132555 出願人：インフィニオンテクノロジーズノースアメリカコーポレイション, インターナショナルビジネスマシーンズコーポレーション
特開昭64-038747
半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-350766 出願人：カシオ計算機株式会社

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