特許
J-GLOBAL ID：200903057760361531
銅スパッタリングターゲット及び銅スパッタリングターゲットの形成方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (6件)：
社本 一夫
, 増井 忠弐
, 小林 泰
, 千葉 昭男
, 富田 博行
, 桜井 周矩
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-505599
公開番号（公開出願番号）：特表2005-533187
出願日： 2003年07月14日
公開日（公表日）： 2005年11月04日
要約：
本発明は、銅を含むスパッタリングターゲットを含む。本ターゲットは、モノリシックであるかまたは接合されており、重量で少なくとも99.99%の銅を含み、1ミクロン〜50ミクロンの平均結晶粒度を有する。銅を含むターゲットは、約15ksi以上の降伏強さ及び約40を超えるブリネル硬さ(HB)を有する。本発明は、重量で約99.99%以下の銅及び少なくとも100ppm及び10重量%未満の全量の合金元素(単数種または複数種)から本質的になる銅合金モノリシック及び接合スパッタリングターゲットを含む。本ターゲットは、1ミクロン未満〜50ミクロンの平均結晶粒度を有し、ターゲット全体にわたって約15%未満の標準偏差(1-シグマ)の結晶粒度不均一性を有する。本発明はさらに、接合並びにモノリシック銅及び銅合金ターゲットの製造方法を含む。
請求項（抜粋）：
重量で少なくとも99.99%の銅と;
少なくとも1ミクロン〜約50ミクロン以下の平均結晶粒度と;
を含み、約15ksi以上の降伏強さを有する、銅を含むスパッタリングターゲット。
IPC (9件)：
C23C14/34
, C22C9/01
, C22C9/02
, C22C9/04
, C22C9/05
, C22C9/06
, C22C9/10
, C22F1/08
, H01L21/285
C23C14/34 A
, C22C9/01
, C22C9/02
, C22C9/04
, C22C9/05
, C22C9/06
, C22C9/10
, C22F1/08 B
, H01L21/285 S
4E087BA07
, 4E087BA14
, 4E087CA01
, 4E087CA22
, 4E087CB01
, 4E087CB03
, 4E087DB14
, 4K029AA06
, 4K029BA08
, 4K029BC03
, 4K029BD02
, 4K029CA05
, 4K029DC03
, 4K029DC09
, 4M104BB04
, 4M104BB39
, 4M104DD40
